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IRFR2307ZTRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,45A,RDS(ON),18mΩ@10V,20Vgs(±V);3.2Vth(V);TO252
供应商型号: 14M-IRFR2307ZTRPBF TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFR2307ZTRPBF

IRFR2307ZTRPBF概述

    IRFR2307ZTRPBF-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRFR2307ZTRPBF-VB 是一种适用于电源转换和驱动应用的N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它具有高可靠性和低导通电阻的特点,使其成为各类电力电子设备中的理想选择。主要功能包括开关操作、隔离式DC/DC转换器的应用。它特别适用于需要高效能、高稳定性的电路设计场合。

    技术参数


    以下是该产品的主要技术规格和电气特性:
    | 参数 | 标准值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极击穿电压 | 100 | V |
    | 栅极-源极阈值电压 | 2.5 ~ 5 | V |
    | 零栅压漏极电流 | 1 | µA |
    | 开启状态下漏极电流 | 15 | A |
    | 导通电阻 | 0.0185 | Ω |
    | 输入电容 | 2400 | pF |
    | 输出电容 | 230 | pF |
    | 反向传输电容 | 80 | pF |
    | 门电阻 | 1.6 ~ 2.5 | Ω |
    | 单脉冲雪崩电流 | 101 | mJ |
    | 最大连续输出电流 | 9.2(Ta=25°C)| A |
    | 最大脉冲输出电流 | 100 | A |
    工作环境:
    - 操作温度范围:-55°C 到 175°C
    - 存储温度范围:-55°C 到 175°C
    - 热阻抗:稳态热阻抗为40°C/W到50°C/W,结壳热阻抗为0.85°C/W到1.1°C/W

    产品特点和优势


    - TrenchFET®技术:采用先进的TrenchFET®技术,显著降低了导通电阻,提高了效率。
    - 严格测试:所有产品均经过100%的Rg和UIS测试,确保高可靠性。
    - 低温性能:即使在极端低温下也能保持良好的性能表现。
    - 高温稳定性:即使在高温环境下也能稳定工作,且温度系数低。

    应用案例和使用建议


    IRFR2307ZTRPBF-VB 主要应用于各种电源转换和驱动应用,例如:
    - 主侧开关
    - 隔离式DC/DC转换器
    - 各类电源管理和控制电路
    使用建议:
    - 在设计电路时,注意MOSFET的散热要求,特别是在高频和高电流情况下。
    - 考虑温度影响,特别是在恶劣环境条件下。
    - 在应用中考虑门电阻的选择,以优化开关时间和降低功耗。

    兼容性和支持


    IRFR2307ZTRPBF-VB 支持表面贴装安装,符合ISO标准。制造商提供详细的技术支持和保修服务,用户可通过电话或邮件咨询相关问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境中,MOSFET的工作效率下降。
    - 解决方案:使用适当的散热措施,如散热片或风扇,以保持MOSFET的工作温度在合理范围内。

    - 问题:如何确定门电阻的合适值?
    - 解决方案:根据具体的应用需求和负载条件来选择合适的门电阻,一般建议通过实验来确定最佳值。

    总结和推荐


    IRFR2307ZTRPBF-VB N-Channel 100-V MOSFET 凭借其高性能、高可靠性及广泛的应用范围,在电力电子领域表现出色。对于需要高效率和高可靠性的应用,该产品是理想的选择。强烈推荐在电源管理和其他电力电子设备中使用这款MOSFET。

IRFR2307ZTRPBF参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFR2307ZTRPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFR2307ZTRPBF数据手册

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