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VBZFB50N03

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),6mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.92Vth(V) 封装:TO251\n适用于需要中等功率和电流的应用场合,能够在一定程度上平衡功率和性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,用于中频率和中功率的电子设备和系统。
供应商型号: VBZFB50N03 TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZFB50N03

VBZFB50N03概述

    # VBZFB50N03 N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    VBZFB50N03是一款高性能的N沟道30V MOSFET,专为高效率电力应用设计。该器件采用第三代TrenchFET®技术,提供了卓越的开关性能和低导通电阻(RDS(on))。它广泛应用于DC/DC转换器、系统电源以及其他需要高效率功率处理的领域。

    技术参数


    以下为VBZFB50N03的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 30 V |
    | 门限电压 | VGS(th) | 1.2 | 3.0 V |
    | 导通电阻 | RDS(on) 7(10V) | 9(4.5V)| mΩ |
    | 电荷总量 | Qg | 18 | 33 nC |
    | 阈值电压温度系数 | ΔVGS(th)/TJ | -5 mV/°C|
    | 连续漏极电流 | ID 50 A |
    | 最大功率耗散 | PD 28 W |
    注释:所有参数基于TJ = 25°C,除非另有说明。

    产品特点和优势


    - 环保设计:符合RoHS标准且无卤素,适用于绿色制造。
    - 高效能:先进的TrenchFET®技术确保了低导通电阻和快速开关速度。
    - 可靠性验证:100% Rg测试和100% UIS测试保证了产品的长期稳定性。
    - 宽广的工作温度范围:支持从-55°C到150°C的工作温度,适应恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    VBZFB50N03 MOSFET适用于多种电力转换场合,例如服务器电源、通信设备以及便携式电子产品。为了最大化其性能,建议在设计时考虑以下几点:
    - 散热管理:由于较高的功率耗散能力,适当的散热措施是必要的,以避免过热现象。
    - 驱动电路优化:合理设置驱动电阻(Rg),以平衡开关速度与功耗之间的关系。
    - 负载匹配:确保输出电流不超过额定值,防止因过载而导致的损坏。

    兼容性和支持


    VBZFB50N03与市场上大多数主流控制器兼容,并且制造商提供了详尽的技术文档和支持服务。如有任何疑问,可通过服务热线400-655-8788联系技术支持团队获取帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 调整栅极驱动电阻,降低开关频率。 |
    | 导通电阻偏高 | 检查输入电压是否满足要求,必要时更换更高规格的产品。 |
    | 输出波形异常 | 检查PCB布局是否存在寄生效应,修正设计错误。 |

    总结和推荐


    综上所述,VBZFB50N03凭借其优异的性能表现、灵活的应用场景以及良好的兼容性,在电力电子领域具有较强的竞争力。对于需要高效能、紧凑尺寸及高可靠性的项目而言,这款MOSFET无疑是一个理想的选择。因此,强烈推荐使用此产品。

VBZFB50N03参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,8mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 70A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.92V
配置 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZFB50N03厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZFB50N03数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZFB50N03 VBZFB50N03数据手册

VBZFB50N03封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
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