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VBZM2N65

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,2A,RDS(ON),3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: VBZM2N65 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZM2N65

VBZM2N65概述


    产品简介


    VBZM2N65 是一款N沟道650V(D-S)功率MOSFET,由VBsemi公司生产。它主要用于高压转换和高效率电源应用。这款MOSFET具有低栅极电荷(Qg)的特点,这使得它的驱动要求较为简单,适用于需要快速开关的应用场合。此外,其改进的门极、雪崩和动态dv/dt耐用性使其在各种恶劣环境下表现出色。

    技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 漏源电压(VDS) | 650 V |
    | 栅源电压(VGS) | ±30 V |
    | 连续漏极电流(ID) | 1.28 A @ 25 °C |
    | 最大栅极电荷(Qg) | 11 nC |
    | 栅源电荷(Qgs) | 2.3 nC |
    | 栅漏电荷(Qgd) | 5.2 nC |
    | 工作温度范围 | -55°C to +150°C |

    产品特点和优势


    VBZM2N65 具备多种独特的功能和优势,使其在高压电源转换器和逆变器等领域脱颖而出。具体特点如下:
    - 低栅极电荷:减少驱动需求,提升系统整体效率。
    - 改进的耐用性:具备优秀的门极、雪崩和动态dv/dt耐受能力,能够在严苛的环境中可靠工作。
    - 全面的电容特性:电容和雪崩电压电流都经过完全表征,保证了产品的一致性和可靠性。
    - 环保认证:符合RoHS指令2002/95/EC标准,绿色环保。

    应用案例和使用建议


    VBZM2N65 广泛应用于工业控制、通信设备和家电等领域的高压电源转换器中。以下是几类典型应用场景及使用建议:
    - 电源转换器:由于其高耐压能力和低损耗特性,VBZM2N65 非常适合用于高压电源转换器的设计。建议在设计时确保电路布局尽可能紧凑,并降低寄生电感,以提高系统的可靠性和效率。
    - 逆变器:在逆变器应用中,该MOSFET可以提供稳定的电流输出。需要注意的是,在设计逆变器电路时,必须充分考虑散热设计,确保器件工作在安全温度范围内。

    兼容性和支持


    VBZM2N65 采用O-220AB封装,易于安装。该产品与其他常用的电子元器件具有良好的兼容性,如常见的PCB板和散热片。VBsemi公司提供了全面的技术支持和售后服务,包括详细的用户手册、应用指南和技术支持团队,以确保用户能够充分利用产品的性能。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册中的常见问题,以下是一些用户可能遇到的问题及其解决方案:
    - 问题:MOSFET发热严重
    - 解决方案:增加散热器的面积或更换更高效率的散热器,确保器件工作在合适的温度范围内。
    - 问题:系统响应慢
    - 解决方案:检查电路设计是否存在寄生电感问题,尽量减少寄生电感,优化电路布局,加快系统响应速度。

    总结和推荐


    综上所述,VBZM2N65 以其出色的性能和广泛应用范围,成为了高压电源转换器和逆变器的理想选择。其低栅极电荷、优秀的耐用性和全面的电容特性,使其在市场上具有较强的竞争力。同时,VBsemi公司提供的完善技术支持和兼容性,进一步增强了其市场吸引力。因此,我强烈推荐此产品给对高性能、高可靠性的高压电源转换器和逆变器感兴趣的用户。

VBZM2N65参数

参数
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 2A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZM2N65厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZM2N65数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZM2N65 VBZM2N65数据手册

VBZM2N65封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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