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VB2658

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-5.2A,RDS(ON),40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:SOT23
供应商型号: 31M-VB2658
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VB2658

VB2658概述

    VB2658 P-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    VB2658 是一款适用于多种应用的 P-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款产品采用了隔离封装设计,能够在高电压环境中稳定运行,适用于各类电力转换及控制电路。

    2. 技术参数


    - 基本规格
    - 隔离封装,耐压高达2.5 kVRMS(连续60秒,频率为60Hz)
    - 最大漏极-源极电压(VDS):-60V
    - 零栅极电压漏极电流(IDSS):-100μA @ VDS = -60V,VGS = 0V
    - 热阻
    - 最大结-环境热阻(RthJA):-65°C/W
    - 最大结-壳体热阻(RthJC):-5.5°C/W
    - 动态特性
    - 动态dv/dt额定值:-4.5V/ns
    - 输入电容(Ciss):270pF(VGS = 0V,VDS = -25V,f = 1MHz)
    - 输出电容(Coss):170pF
    - 门极-源极电荷(Qgs):3.8nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd):5.1nC
    - 静态特性
    - 漏极-源极击穿电压(VDS):-60V(VGS = 0V,ID = -250μA)
    - 门极-源极阈值电压(VGS(th)):-1.0V ~ -2.5V(VDS = VGS,ID = -250μA)
    - 零栅极电压漏极电流(IDSS):-100μA(VDS = -60V,VGS = 0V)
    - 工作条件
    - 操作温度范围:-55°C ~ +175°C
    - 存储温度范围:-55°C ~ +175°C

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:具有出色的耐压和动态dv/dt特性,确保在高压环境下稳定运行。
    - 高集成度:采用隔离封装,能够有效隔离电源信号,提高系统的可靠性和稳定性。
    - 低热阻:采用低热阻设计,能够快速散热,降低温升,延长使用寿命。
    - 低泄漏电流:零栅极电压漏极电流(IDSS)仅为-100μA,显著减少功耗和发热。
    - 宽温工作范围:-55°C 至 +175°C 的宽广工作温度范围,适用于极端环境下的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源:VB2658 MOSFET 可以应用于直流-直流转换器和开关电源中,作为开关器件使用,有效实现电压变换和控制。
    - 电机驱动:在电机驱动系统中,VB2658 MOSFET 可用于控制电机的正反转和调速,提供高效稳定的电流控制。
    使用建议:
    - 热管理:由于 VB2658 MOSFET 的热阻较低,建议在应用时注意散热设计,确保设备的长期稳定运行。
    - 保护电路:建议在电路中加入过压保护和短路保护措施,防止器件因过载而损坏。
    - 布线设计:尽量保持低杂散电感,使用接地平面以减少干扰,提升整体系统的稳定性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:VB2658 MOSFET 与其他同类 P-Channel MOSFET 设备兼容,可以方便地替换现有系统中的器件。
    - 支持和服务:台湾 VBsemi 电子有限公司提供了详细的技术文档和客户支持,确保用户在使用过程中能够获得及时的技术帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:开机时设备过热
    - 解决办法:检查散热片安装是否正确,确保良好的热传导;增加外部风扇强制散热。
    - 问题二:输出电压不稳定
    - 解决办法:检查电源输入是否稳定,调整滤波电路,确保电源的稳定性。

    7. 总结和推荐


    综上所述,VB2658 P-Channel MOSFET 具有高耐压、高可靠性、低热阻和宽温工作范围等特点,非常适合用于高要求的电力转换及控制电路中。此外,厂家提供的技术支持和详细的文档资料也大大提升了用户的使用体验。总体而言,推荐在需要高性能、高稳定性的电力控制系统中使用 VB2658 MOSFET。

VB2658参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
栅极电荷 12NC
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@10V,48mΩ@4.5V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 5.2A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 270pF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 27W
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

VB2658厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VB2658数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VB2658 VB2658数据手册

VB2658封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.6258
50+ ¥ 1.2785
150+ ¥ 1.1358
500+ ¥ 0.9525
3000+ ¥ 0.8445
6000+ ¥ 0.7941
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