处理中...

首页  >  产品百科  >  IPD068P03L3G

IPD068P03L3G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-60A,RDS(ON),9mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.71Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-IPD068P03L3G TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD068P03L3G

IPD068P03L3G概述

    IPD068P03L3G-VB P-Channel MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    IPD068P03L3G-VB 是一款适用于多种应用场合的P-Channel MOSFET,其封装形式为TO-252。这种类型的MOSFET主要用于电源管理、开关应用及各种控制电路中。它的主要功能是作为电子开关或放大器,可以高效地控制电流流动,是现代电子产品不可或缺的一部分。

    2. 技术参数


    以下是该MOSFET的主要技术参数:
    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 连续漏极电流(TJ = 175 °C):70 A(TC = 25 °C),58 A(TC = 125 °C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):240 A
    - 雪崩电流(IAR):60 A
    - 重复雪崩能量(EAR):180 mJ(L = 0.1 mH)
    - 功耗(PD):78 W
    - 工作结温和存储温度范围(TJ 和 Tstg):-55 至 175 °C
    - 热阻抗:
    - 结至环境热阻(RthJA):68.5 °C/W
    - 结至外壳热阻(RthJC):1.0 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 环保设计:符合RoHS规范,无铅端子。
    - 高可靠性:具有低栅泄漏电流和雪崩耐受能力。
    - 出色的热性能:高功率处理能力和优良的散热设计。
    - 广泛的应用范围:适合于各种电力转换和控制应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在DC-DC转换器中作为开关元件。
    - 用于电机驱动电路以控制电流。
    - 在电池管理系统中作为保护元件。
    使用建议:
    - 确保正确安装和布线,特别是注意散热路径的设计。
    - 在高电流应用中,使用适当的散热器以防止过热。
    - 避免超过绝对最大额定值,特别是在高电压或高温度环境下。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IPD068P03L3G-VB 采用标准的 TO-252 封装,易于与其他电子元器件集成。
    - 支持:提供详尽的技术文档和用户手册,以便快速上手。如有疑问,可联系400-655-8788进行技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:发热过高。
    - 解决方案:确保正确散热,检查散热片是否有效安装。
    - 问题二:启动时电流过大。
    - 解决方案:检查负载是否合适,确保没有短路。
    - 问题三:工作温度超出正常范围。
    - 解决方案:在高温环境中增加额外的冷却措施,如强制风冷。

    7. 总结和推荐


    总体来看,IPD068P03L3G-VB P-Channel MOSFET 提供了优秀的性能和可靠性,特别适合需要高效电力管理和控制的应用场合。其广泛的适用性和详细的文档支持使其成为设计师的理想选择。强烈推荐在需要高性能、可靠性和环保要求的产品设计中使用此型号。

IPD068P03L3G参数

参数
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 0.013Ω VGS = - 10 V,ID = - 30 A,TJ = 175 掳C
通道数量 -
栅极电荷 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 80A
最大功率耗散 187W
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD068P03L3G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD068P03L3G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD068P03L3G IPD068P03L3G数据手册

IPD068P03L3G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.3104
库存: 54
起订量: 5 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 6.55
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504