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FDP047AN08A0

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V);TO220
供应商型号: 14M-FDP047AN08A0 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDP047AN08A0

FDP047AN08A0概述

    FDP047AN08A0-VB N-Channel 80 V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    FDP047AN08A0-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道80V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款MOSFET采用了先进的TrenchFET技术,适用于多种电力转换和控制应用。其主要功能包括高效率的开关操作和低导通电阻,使其成为电源管理、LED背光驱动、同步整流及DC/AC逆变器等应用的理想选择。

    2. 技术参数


    - 额定电压:VDS = 80 V
    - 连续漏极电流:ID = 28.6 A(Tc = 25°C)
    - 脉冲漏极电流:IDM = 350 A(t = 100 μs)
    - 最大功率耗散:PD = 180 W(Tc = 25°C),120 W(Tc = 70°C)
    - 门极阈值电压:VGS(th) = 2.0 V 至 3.5 V
    - 零门极电压漏极电流:IDSS = 1 μA(VDS = 80 V)
    - 导通电阻:RDS(on) = 7 mΩ(VGS = 10 V),RDS(on) = 9 mΩ(VGS = 4.5 V)
    - 输入电容:Ciss = 3855 pF(VDS = 40 V,VGS = 0 V,f = 1 MHz)
    - 输出电容:Coss = 1120 pF
    - 反向传输电容:Crss = 376 pF
    - 总栅极电荷:Qg = 35.5 nC(VDS = 40 V,VGS = 10 V)

    3. 产品特点和优势


    - 高效率:采用TrenchFET技术,具有较低的导通电阻和较高的击穿电压,从而实现高效的电力转换。
    - 可靠性高:所有样品均经过100%的栅极电阻(Rg)和雪崩耐受性(UIS)测试,确保产品的可靠性和稳定性。
    - 宽工作温度范围:能够在-55°C至150°C的极端温度范围内正常工作,适用于各种恶劣环境。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 同步整流:在DC/DC转换器中用于同步整流,提高整体效率。
    - LED背光驱动:为LED背光系统提供高效稳定的电源转换。
    - DC/AC逆变器:在逆变器中作为主侧开关,实现高效的直流到交流转换。
    使用建议:
    - 散热设计:由于其较高的功率耗散能力,建议在实际应用中进行有效的散热设计,以确保长期稳定运行。
    - 电路布局:合理布置电路,尽量减少寄生电感和电容的影响,以提升整体性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET可与其他标准封装的MOSFET产品兼容,方便替换和升级现有设计。
    - 支持服务:VBsemi公司提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助客户解决在使用过程中可能遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定合适的栅极电阻?
    - 解答:根据具体的应用需求选择合适的栅极电阻。一般情况下,较小的栅极电阻可以加快开关速度,但可能会增加开关损耗;较大的栅极电阻则相反。

    - 问题:在高温环境下,如何保证MOSFET的稳定工作?
    - 解答:确保良好的散热设计,避免过热导致的性能下降。可以考虑使用散热片或散热风扇来辅助散热。

    7. 总结和推荐


    FDP047AN08A0-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET,具备出色的导通特性和可靠性。它适用于多种电力转换和控制应用,如同步整流、LED背光驱动及DC/AC逆变器等。其高效率、宽工作温度范围及可靠的制造工艺使其在市场上具有较强的竞争力。强烈推荐在需要高效、稳定电力转换的应用中使用此产品。

FDP047AN08A0参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDP047AN08A0厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDP047AN08A0数据手册

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FDP047AN08A0封装设计

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