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VBMB165R12

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: 14M-VBMB165R12 TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBMB165R12

VBMB165R12概述


    产品简介


    VBMB165R12 N-Channel 650V MOSFET 是一款专为高电压、高功率应用设计的功率场效应晶体管(Power MOSFET)。这款电子元器件以其低导通电阻(RDS(on))和超低门极电荷(Qg)而著称,使其适用于各种高效率电力转换应用。其主要功能包括低导通损耗和开关损耗,能够显著提高系统的整体能效。该产品的应用领域广泛,涵盖服务器和电信电源供应、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应以及工业和照明应用如高强度放电灯(HID)和荧光灯管。

    技术参数


    - 耐压(VDS):最大耐压值为650V(TJ max.)。
    - 导通电阻(RDS(on)):25°C时为0.08Ω(VGS = 10V,ID = 8A)。
    - 总门极电荷(Qg):最大值为43nC(VGS = 10V,ID = 8A,VDS = 520V)。
    - 门极-源极电荷(Qgs):5nC。
    - 门极-漏极电荷(Qgd):22nC。
    - 门极输入电阻(Rg):3.5Ω。
    - 持续漏极电流(ID):25°C时为12A,100°C时为9.4A。
    - 脉冲漏极电流(IDM):45A。
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):10mJ。
    - 最大功耗(PD):34W。
    - 最高结温和存储温度范围(TJ, Tstg):-55°C到+150°C。
    - 反向恢复时间(trr):25°C时为345ns(IF = IS = 8A,dI/dt = 100A/μs,VR = 400V)。
    - 反向恢复电荷(Qrr):4.5μC。

    产品特点和优势


    - 低门极电荷(Qg):使驱动更简单、更快,减少系统损耗。
    - 低输入电容(Ciss):减小驱动损耗,提高效率。
    - 低导通电阻(RDS(on)):在高电流下保持较低的损耗,从而降低热量产生。
    - 雪崩能量额定值(UIS):提供了更高的可靠性,可以在瞬态过压条件下安全操作。
    - 优化的热阻抗(RthJA):有助于更好地散热,延长使用寿命。

    应用案例和使用建议


    VBMB165R12 MOSFET 广泛应用于多种高效率电力转换场合,例如服务器和电信电源供应、开关模式电源供应和功率因数校正电源供应。为了确保最佳性能,建议在设计电路时注意以下几点:
    - 使用低杂散电感布局,以减少干扰。
    - 设计良好的接地平面,以确保稳定的工作状态。
    - 选择合适的电流采样电阻,以便精确监控电流。

    兼容性和支持


    该产品与常见的电源模块和其他高电压系统兼容。制造商提供全面的技术支持和维修服务,确保客户可以高效地集成和使用该产品。此外,该产品符合RoHS和无卤标准,环保且安全可靠。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:门极-源极电压(VGS)超过额定值会发生什么?
    解决方案:确保VGS不超过±30V,以避免损坏器件。
    2. 问题:如何测量总门极电荷(Qg)?
    解决方案:参考技术手册中的图16和图17,使用特定的测试电路进行测量。
    3. 问题:器件在高温下的工作性能会受到影响吗?
    解决方案:确保工作温度不超过150°C,并合理设计散热系统。

    总结和推荐


    VBMB165R12 N-Channel 650V MOSFET 在性能和可靠性方面表现出色,适用于高效率的电力转换应用。其低导通电阻和超低门极电荷使其成为服务器、电信电源供应和高功率开关电源的理想选择。总的来说,这是一款值得推荐的产品。

VBMB165R12参数

参数
Id-连续漏极电流 12A
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
通道数量 -
栅极电荷 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBMB165R12厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBMB165R12数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBMB165R12 VBMB165R12数据手册

VBMB165R12封装设计

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