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IRF7341TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,6A,RDS(ON),27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: 14M-IRF7341TRPBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF7341TRPBF

IRF7341TRPBF概述

    IRF7341TRPBF-VB 双N沟道60V(D-S)MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRF7341TRPBF-VB 是一种采用TrenchFET®技术的双N沟道功率MOSFET,适用于多种工业和消费电子产品中的电源管理。其最大额定电压为60V,具备出色的热稳定性和低导通电阻(RDS(on)),非常适合高效率开关应用。

    2. 技术参数


    - 主要规格
    - 最大漏源电压(VDS): 60V
    - 最大栅源电压(VGS): ±20V
    - 连续漏电流(ID): 7A(在25°C时)
    - 最大脉冲漏电流(IDM): 28A
    - 单脉冲雪崩电流(IAS): 18A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 16.2mJ
    - 最大功耗(PD): 4W(在25°C时)
    - 电气特性
    - 静态漏源击穿电压(VDS): 60V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)): 1.5~2.5V
    - 栅源泄漏电流(IGSS): ±100nA
    - 零栅电压漏电流(IDSS): ≤1μA
    - 导通状态漏电流(ID(on)): ≥20A
    - 导通状态电阻(RDS(on)): 0.028Ω(在VGS=10V时)

    - 动态特性
    - 输入电容(Ciss): 600pF
    - 输出电容(Coss): 110pF~140pF
    - 反向转移电容(Crss): 50pF~62pF
    - 总栅极电荷(Qg): 11nC
    - 上升时间(tr): 3.3ns

    3. 产品特点和优势


    - 高效率: IRF7341TRPBF-VB 具有非常低的导通电阻(RDS(on)),可实现更高的转换效率。
    - 高可靠性: 100%的栅极电阻(Rg)和雪崩测试,确保在恶劣环境下的可靠性能。
    - 宽工作温度范围: 工作温度范围为-55°C到+175°C,适应各种严苛环境。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源: 利用其低RDS(on),IRF7341TRPBF-VB 适合用于高效率的开关电源设计。
    - 电机驱动: 在电机驱动应用中,该MOSFET可以提供快速响应和高功率处理能力。
    - 电池管理系统: 高精度和稳定的温度特性使其适用于电池管理系统中的关键组件。
    使用建议
    - 热管理: 确保良好的散热设计以避免过热导致的性能下降。
    - 驱动电路: 选择合适的栅极驱动电阻(Rg)以避免振铃效应。
    - 布局设计: 保持栅极和源极之间的短路径,减少寄生电感。

    5. 兼容性和支持


    IRF7341TRPBF-VB 支持标准SO-8封装,与大多数现有的PCB设计兼容。厂商提供详细的技术文档和支持服务,包括样品申请和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 设备过热
    - 解决办法: 改善散热设计,增加散热片或使用热管冷却。
    - 问题: 导通电阻变大
    - 解决办法: 检查焊接质量,确保引脚良好连接。
    - 问题: 设备不启动
    - 解决办法: 确认驱动信号正确无误,检查电源电压是否符合要求。

    7. 总结和推荐


    IRF7341TRPBF-VB 是一款高性能的双N沟道MOSFET,具有出色的电气特性和可靠性,广泛应用于开关电源、电机驱动和电池管理系统等领域。其低导通电阻和宽工作温度范围使其成为这些应用的理想选择。强烈推荐在设计高效率电源管理电路时考虑使用此产品。

IRF7341TRPBF参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
栅极电荷 36nC
Id-连续漏极电流 7A
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 4W
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 750pF@25V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@ 10V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRF7341TRPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF7341TRPBF数据手册

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IRF7341TRPBF封装设计

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