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FDV303N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道 20V 6A 28mΩ@4.5V SOT23-3
供应商型号: 14M- FDV303N SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDV303N

FDV303N概述

    # FDV303N-VB N-Channel 20 V MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDV303N-VB 是一款 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有20V的漏源电压(D-S)。它适用于直流/直流转换器和便携式应用中的负载开关。此款MOSFET 使用的是TrenchFET® Power技术,具有出色的性能和可靠性。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS): 20 V
    - 栅源电压 (VGS): ±12 V
    - 连续漏电流 (ID):
    - TC = 25°C: 6 A
    - TC = 70°C: 5.1 A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 20 A
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TC = 25°C: 2.1 W
    - TC = 70°C: 1.3 W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 150°C
    - 静态导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 4.5 V, ID = 5.0 A: 0.028 Ω
    - VGS = 2.5 V, ID = 4.7 A: 0.042 Ω
    - VGS = 1.8 V, ID = 4.3 A: 0.050 Ω
    - 总栅电荷 (Qg):
    - VDS = 10 V, VGS = 4.5 V, ID = 5.0 A: 8.8 nC 至 14 nC
    - 转导电容 (Crss): 55 pF (VDS = 10 V, VGS = 5 V, ID = 5.0 A)
    - 阈值电压 (VGS(th)): 0.45 V 至 1.0 V (VDS = 0 V, VGS = VGS)

    产品特点和优势


    FDV303N-VB 的主要特点包括:
    - 高效的 TrenchFET® Power 技术
    - 无卤素设计,符合 IEC 61249-2-21 标准
    - 100% Rg 测试
    - 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
    - 高温下的良好性能:可在高达 150°C 的温度下工作
    - 低导通电阻:最小为 0.028 Ω(VGS = 4.5 V, ID = 5.0 A)
    这些特点使得 FDV303N-VB 在需要高效率和稳定性的应用场景中表现出色,特别是在便携式设备和电池供电设备中。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - DC/DC 转换器:用于电源管理,如笔记本电脑、智能手机和平板电脑。
    - 负载开关:在便携式应用中控制电路的开闭,以节省能耗。
    使用建议
    - 在选择驱动器时,确保栅极电阻 (Rg) 不超过4.8Ω,以确保最佳的开关速度和稳定性。
    - 在高频应用中,注意栅电荷 (Qg) 和反向传输电容 (Crss),以避免高频干扰。
    - 建议使用散热片或 PCB 布局优化来降低热阻,尤其是在高温环境中。

    兼容性和支持


    FDV303N-VB 采用 SOT-23 封装,可与多种 PCB 设计兼容。VBsemi 提供详尽的技术支持,包括应用指南和设计帮助。此外,该产品还提供全面的保修和支持服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 长时间高温运行导致失效 | 确保使用散热措施并监控温度 |
    | 开关频率过高导致过热 | 优化 PCB 布局,使用散热片 |
    | 初始性能不稳定 | 确认所有连接正确无误,重新测试 |

    总结和推荐


    FDV303N-VB 是一款高效可靠的 N-Channel MOSFET,适合各种应用场合。它的高性能、低功耗和无卤素设计使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐 FDV303N-VB 用于需要高效率和可靠性的电子系统中。

FDV303N参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 865pF@10V
Vgs-栅源极电压 12V
Vds-漏源极击穿电压 20V
最大功率耗散 2.1W
Rds(On)-漏源导通电阻 28mΩ@ 4.5V
通道数量 -
栅极电荷 2.3nC@ 4.5V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 6A
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDV303N厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDV303N数据手册

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FDV303N封装设计

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