处理中...

首页  >  产品百科  >  VBZE15P10

VBZE15P10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-100V,-15A,RDS(ON),120mΩ@10V,144mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: VBZE15P10 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZE15P10

VBZE15P10概述


    产品简介


    P-Channel 100 V (D-S) MOSFET
    P-Channel 100 V (D-S) MOSFET 是一种金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于电源管理和转换应用。这款MOSFET采用沟槽技术制造,具有高可靠性、低导通电阻和高效能的特点。它主要用于电源开关和DC/DC转换器中。

    技术参数


    以下是该P-Channel MOSFET的主要技术规格:
    | 参数 | 规格 |

    | 漏源电压 (VDS) | 100 V |
    | 连续漏电流 (ID) | -16 A (TJ=150 °C) |
    | 脉冲漏电流 (IDM) | -50 A |
    | 击穿电压 (VDS) | -100 V |
    | 门限电压 (VGS(th)) | -1 V 至 -2.5 V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 0.100 Ω (VGS=-10 V) |
    | 门电荷 (Qg) | 23.2 nC (VDS=-50 V) |
    | 输入电容 (Ciss) | 1055 pF (VGS=0 V) |
    | 输出电容 (Coss) | 65 pF (VDS=-50 V) |
    | 反向转移电容 (Crss) | 41 pF (VDS=-50 V) |

    产品特点和优势


    该P-Channel MOSFET具有以下特点和优势:
    1. Halogen-Free:符合IEC 61249-2-21标准,适合环保需求。
    2. TrenchFET® 技术:提高效率和可靠性。
    3. 100% Rg 和 UIS 测试:确保产品质量。
    4. RoHS 合规:满足欧盟环保要求。
    5. 低导通电阻:减少功耗和发热。
    6. 高速开关性能:提高电路整体性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源开关:用于控制电路中的电流流动。
    - DC/DC转换器:实现不同电压之间的转换。
    使用建议:
    1. 注意散热:由于连续工作时会产生一定热量,建议使用散热片或散热器以保持良好散热。
    2. 正确布线:确保引脚连接正确,防止短路或开路。

    兼容性和支持


    该P-Channel MOSFET可以与各种电源管理和转换设备兼容。厂商提供了详细的技术支持和维护服务,确保用户能够顺利使用并获得必要的技术支持。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 温度过高:过高的工作温度可能导致MOSFET损坏。
    2. 电压不稳定:输入电压波动可能影响MOSFET的工作稳定性。
    解决方案:
    1. 改善散热:增加散热片或使用散热器以降低工作温度。
    2. 稳压电路:在输入端添加稳压电路,确保稳定的输入电压。

    总结和推荐


    总体而言,P-Channel 100 V (D-S) MOSFET是一款性能优异、可靠度高的产品,非常适合于电源管理和转换应用。它具有低导通电阻、高可靠性及环保等特点,能够显著提升系统的效率和可靠性。因此,强烈推荐在电源开关和DC/DC转换器设计中使用该产品。

VBZE15P10参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 120mΩ@10V,144mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 15A
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
FET类型 1个P沟道
配置 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZE15P10厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZE15P10数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZE15P10 VBZE15P10数据手册

VBZE15P10封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1091
100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.6485
2500+ ¥ 2.5333
库存: 400000
起订量: 10 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 31.09
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504