处理中...

首页  >  产品百科  >  VBZM5N80S

VBZM5N80S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO220;N—Channel沟道,800V;5A;RDS(ON)=1300mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: VBZM5N80S TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZM5N80S

VBZM5N80S概述


    产品简介


    VBZM5N80S N-Channel 800V Super Junction Power MOSFET 是一款高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),特别适用于高电压、高频开关应用。该产品主要用于电力转换系统、电机驱动控制、照明电源等领域,具备快速开关特性、易于并联和简单驱动要求等优势。

    技术参数


    以下是VBZM5N80S的主要技术参数:
    - 最大耐压:VDS = 800V
    - 导通电阻:RDS(on) = 1.2Ω (VGS = 10V)
    - 总电荷:Qg = 200nC
    - 输入电容:Ciss = 3100pF
    - 输出电容:Coss = 800pF
    - 反向传输电容:Crss = 490pF
    - 最大脉冲漏极电流:IDM = 21A
    - 重复雪崩电流:IAR = 7.8A
    - 最大峰值二极管恢复电压:dV/dt = 2.0V/ns
    - 工作温度范围:TJ, Tstg = -55°C to +150°C

    产品特点和优势


    1. 动态dv/dt评级:使器件具有更好的抗干扰能力。
    2. 重复雪崩评级:允许在不破坏器件的情况下承受瞬时高压。
    3. 隔离中央安装孔:提供良好的散热效果,增强可靠性。
    4. 快速开关:提高电路的工作频率,降低损耗。
    5. 易于并联:有助于实现更高的电流处理能力。
    6. 简单的驱动需求:减少外围电路设计的复杂度,方便使用。
    7. 符合RoHS指令:环保,适合各种应用场合。

    应用案例和使用建议


    VBZM5N80S常用于电动汽车充电系统、逆变器、太阳能光伏逆变器等高电压、大电流应用场合。为了优化性能,建议:
    - 在电路设计中考虑低杂散电感,使用接地平面以减小电磁干扰。
    - 保持适当的冷却措施,特别是在高温环境下工作时。
    - 确保驱动电路的可靠性,以避免误触发等问题。

    兼容性和支持


    该产品与其他标准的TO-220封装兼容,适用于大多数常见的电路板布局。VBsemi公司提供全面的技术支持,包括产品手册、样本和测试报告,以帮助客户进行设计和应用验证。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 高温下器件性能下降?
    - A: 建议采用散热片或水冷系统,确保工作温度不超过150°C。
    2. Q: 开关过程出现噪音?
    - A: 调整栅极电阻值,优化驱动电路,减小开关噪声。
    3. Q: 无法达到预期电流?
    - A: 检查外部电路设计,确保正确连接,并检查是否有接触不良问题。

    总结和推荐


    VBZM5N80S是一款高可靠性的功率MOSFET,具备出色的性能和广泛的应用范围。其快速开关特性、高耐压能力和良好的散热性能使其在高电压电力转换系统中表现出色。我们强烈推荐此产品应用于需要高功率密度和稳定性能的场合。

VBZM5N80S参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 5A
Vds-漏源极击穿电压 800V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3Ω@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220

VBZM5N80S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZM5N80S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZM5N80S VBZM5N80S数据手册

VBZM5N80S封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 68.02
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336