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ZXMC6A09DN8T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+P沟道 60V 5.3A 28mΩ@10V;-60V -4.9A 50mΩ@-10V SO-8
供应商型号: 14M-ZXMC6A09DN8T
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZXMC6A09DN8T

ZXMC6A09DN8T概述

    ZXMC6A09DN8T-VB N-Channel & P-Channel 60-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    ZXMC6A09DN8T-VB 是一款 N 沟道和 P 沟道双极 60V(漏源电压)的功率 MOSFET,具有高效能和低损耗的特点。它采用了 TrenchFET® 功率 MOSFET 技术,适用于各种高可靠性需求的电路设计。这款器件符合无卤素标准(IEC 61249-2-21),并在生产过程中对所有器件进行了 Rg 和 UIS 测试。主要的应用领域包括冷阴极荧光灯(CCFL)逆变器,以及需要高可靠性的工业和消费类电子设备。

    技术参数


    以下是该器件的技术规格和关键性能指标:
    - 漏源电压 (VDS):60V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏电流 (ID):N-Channel 最大 5.3A @ 25°C,P-Channel 最大 4.9A @ 25°C
    - 导通电阻 (RDS(on)):N-Channel 0.026Ω @ VGS=10V,P-Channel 0.029Ω @ VGS=-10V
    - 输入电容 (Ciss):N-Channel 665pF,P-Channel 650pF
    - 输出电容 (Coss):N-Channel 75pF,P-Channel 95pF
    - 反向转移电容 (Crss):N-Channel 40pF,P-Channel 60pF
    - 总门电荷 (Qg):N-Channel 6nC,P-Channel 8nC
    工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    热阻抗:RthJA = 55°C/W (最大值)

    产品特点和优势


    ZXMC6A09DN8T-VB 的主要特点包括:
    1. 高效率:低导通电阻和快速开关性能显著降低了功耗。
    2. 高可靠性:通过 100% Rg 和 UIS 测试,确保长时间稳定运行。
    3. 环保设计:符合无卤素标准,满足现代绿色制造需求。
    4. 灵活的应用:既适合驱动低频应用,也适合高频逆变器设计。

    应用案例和使用建议


    ZXMC6A09DN8T-VB 广泛应用于 CCFL 逆变器中,此外还可以用于其他高频切换场景,如电机控制和开关电源。以下是一些使用建议:
    - 优化散热设计:由于热阻抗较高,建议在高功率应用中添加外部散热片以提高散热效果。
    - 选择合适的驱动器:为获得最佳性能,建议选用具有足够驱动能力的栅极驱动器。
    - 保护措施:在高频应用中,务必加入过流和短路保护电路以避免器件损坏。

    兼容性和支持


    该器件采用 SO-8 封装,易于集成到现有的 PCB 设计中。厂商提供完善的文档和支持服务,包括技术资料和在线技术支持。用户可通过服务热线(400-655-8788)获取进一步帮助。

    常见问题与解决方案


    以下为常见的使用问题及其解决方法:
    1. 导通电阻偏高:可能是驱动电压不足,需调整驱动电路,确保 VGS 达到额定值。
    2. 发热严重:检查散热设计是否合理,增加外部散热器。
    3. 开关速度慢:可能是输入电容过高,建议优化电路布局,减少寄生电感。

    总结和推荐


    综上所述,ZXMC6A09DN8T-VB 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET,尤其适合高频和大电流应用场景。它的环保设计、低导通电阻和广泛的温度适应性使其在市场上具备较强的竞争力。推荐在需要高效能、长寿命的电子设备中使用该器件。
    如有进一步疑问或需求,请联系 VBsemi 官方技术支持。

ZXMC6A09DN8T参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 28mΩ@ 10V,50mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 N+P沟道
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 5.3A,4.9A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ZXMC6A09DN8T厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZXMC6A09DN8T数据手册

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ZXMC6A09DN8T封装设计

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