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VBA3328

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,6.8/6.0A,RDS(ON),22mΩ@10V,26mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.73Vth(V) 封装:SOP8\n在LED照明系统中,可用于设计中功率的LED驱动模块,实现LED灯具的亮度调节和颜色控制。其中等漏极电阻和稳定的特性使其成为LED照明系统中的理想选择,提高LED灯具的性能和寿命。
供应商型号: 14M-VBA3328
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBA3328

VBA3328概述

    VBA3328 双沟道N沟道30V(D-S)MOSFET 技术手册

    产品简介


    VBA3328是一款由VBsemi生产的双沟道N沟道30V(D-S)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它主要用于低电流DC/DC转换器及机顶盒等领域。VBA3328采用了TrenchFET®技术,提供高可靠性,并通过了所有生产测试。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 30V
    - 最大连续漏极电流 (ID): 6.2A(环境温度为25°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 30A
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20V
    - 最大单脉冲雪崩电流 (IAS): 5A
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 1.25mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 2.7W(环境温度为25°C)
    - 存储温度范围: -55°C 至 150°C
    - 封装: SO-8
    - 热阻抗 (RthJA): 58°C/W(最大值)

    产品特点和优势


    1. 环保材料: 采用无卤素材料,符合IEC 61249-2-21标准定义。
    2. 高可靠性: 100%经过UIS(雪崩耐受)和Rg(栅电阻)测试。
    3. ROHS合规: 符合欧盟RoHS指令2002/95/EC。
    4. 高效率: 极低的导通电阻(RDS(on)),例如在VGS=10V时为0.02Ω,在VGS=4.5V时为0.026Ω。
    5. 优良的动态性能: 短暂的开关延迟时间和快速的开关时间,例如在VGS=10V时,td(on)为4ns,tr为9ns。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 机顶盒: 适用于需要低电流转换的应用,如机顶盒中的电源管理。
    - 低电流DC/DC转换器: 用于需要高效能、低功耗的电源转换场合。
    使用建议:
    1. 散热设计: 在高功率应用中,应考虑有效的散热设计以防止过热。
    2. 驱动电路: 使用适当的栅极电阻(Rg),例如1Ω,以优化开关性能。
    3. 测试条件: 确保在规定的工作温度范围内进行测试,特别是在高温环境下(如150°C)。

    兼容性和支持


    VBA3328 MOSFET采用标准SO-8封装,易于集成到各种电路板中。此外,VBsemi提供了全面的技术支持和维护,包括数据表和技术规格更新。如需进一步的支持,可通过服务热线400-655-8788联系VBsemi团队。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 检查驱动电路中的栅极电阻(Rg),并优化为较低的电阻值(例如1Ω) |
    | 发热量大 | 确保良好的散热设计,如增加散热片或风扇 |
    | 导通电阻异常高 | 检查环境温度和电路连接是否正确,避免过高的环境温度影响 |

    总结和推荐


    总体而言,VBA3328是一款高性能、高可靠性的MOSFET,适合应用于多种低电流DC/DC转换器和机顶盒等场景。其卓越的动态性能、低导通电阻以及高可靠性使其成为同类产品中的佼佼者。我们强烈推荐使用VBA3328 MOSFET来满足您对高性能、高效能的需求。

VBA3328参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 6.8A,6A
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ@10V,26mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.73V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBA3328厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBA3328数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBA3328 VBA3328数据手册

VBA3328封装设计

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