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VBM165R09S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻,使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现高效能的能量转换。
供应商型号: VBM165R09S TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBM165R09S

VBM165R09S概述

    VBM165R09S 4VQFS N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    VBM165R09S 是一款高性能的 N-Channel MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管),专为服务器、电信电源系统、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)以及照明等领域设计。其具备低栅极输入电容(Ciss)、低导通电阻(RDS(on))和超低栅极电荷(Qg),在各种应用场景中表现出色。

    2. 技术参数


    - 额定电压(VDS): 650 V
    - 最大连续漏极电流(ID): 186 A(在 10 V VGS 和 150 °C TJ 时)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): 200 A
    - 雪崩能量(EAS): 5 mJ
    - 最大耗散功率(PD): 150 W
    - 栅源阈值电压(VGS(th)): 2 ~ 4 V
    - 零栅压漏电流(IDSS): 1 μA @ 600 V
    - 导通电阻(RDS(on)): 0.5 Ω(在 10 V VGS 下)
    - 输入电容(Ciss): 1470 pF
    - 输出电容(Coss): 10 pF
    - 反向传输电容(Crss): 1.6 nF
    - 总栅极电荷(Qg): 18 nC
    - 开启延迟时间(td(on)): 15 ns
    - 关断延迟时间(td(off)): 25 ns
    - 寄生二极管特性
    - 最大反向恢复时间(trr): 190 ns
    - 反向恢复电荷(Qrr): 2.3 μC
    - 反向恢复电流(IRRM): 20 A

    3. 产品特点和优势


    VBM165R09S 的独特功能包括:
    - 低栅极电荷(Qg):减少开关损耗,提高效率。
    - 低栅极输入电容(Ciss):减少驱动电路复杂度和功耗。
    - 低导通电阻(RDS(on)):降低导通损耗,提升功率密度。
    - 重复脉冲雪崩能量等级(UIS):确保可靠性和耐用性。
    - 优秀的动态和静态特性:提升整体性能。
    这些特点使得 VBM165R09S 在高可靠性、高效率的应用中具有显著的优势,广泛应用于服务器电源、电信设备及工业控制系统等领域。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源系统:在数据中心和电信基站中,VBM165R09S 能有效降低能耗并提高转换效率。
    - 开关模式电源供应器(SMPS):适用于中小功率转换场合,提供高效、可靠的电力传输。
    - 照明应用:特别适合高亮度 HID 灯光和荧光灯镇流器。

    使用建议:
    - 使用适当的散热措施,确保器件在高温下仍能保持高效运行。
    - 注意布局和接地设计,减少杂散电感,提高整体系统稳定性。
    - 优化驱动电路以适应 VBM165R09S 的栅极电荷特性,减少开关时间。

    5. 兼容性和支持


    VBM165R09S 支持主流的 TO-220AB 封装,方便在不同平台上的安装和使用。台湾 VBsemi 提供详尽的技术文档和支持,确保用户在设计和调试过程中获得全面的支持。此外,VBsemi 还提供完善的售后服务和技术咨询,确保用户能够顺利部署产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 设备启动时出现不稳定现象。
    - 解决方法: 检查驱动电路设计,确保足够的栅极驱动电流,同时确认电源电压稳定。
    - 问题: 系统在负载变化时性能下降。
    - 解决方法: 重新优化系统布局,确保良好的热管理,减少寄生电感的影响。

    7. 总结和推荐


    VBM165R09S N-Channel MOSFET 是一款性能卓越的功率器件,具备低损耗、高效率等特点。它的广泛应用和优异的性能使其成为多种工业应用的理想选择。强烈推荐在对高可靠性、高效能有严格要求的应用场景中使用 VBM165R09S。

VBM165R09S参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 9A
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBM165R09S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBM165R09S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBM165R09S VBM165R09S数据手册

VBM165R09S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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