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NTD40N03RT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-NTD40N03RT4G TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD40N03RT4G

NTD40N03RT4G概述


    产品简介


    NTD40N03RT4G-VB N-Channel MOSFET 技术手册概述
    NTD40N03RT4G-VB 是一款采用 TrenchFET® 技术的 N 沟道功率 MOSFET,专为高性能应用设计。它主要应用于 OR-ing(即热备份)、服务器以及直流/直流转换等场景。该产品通过了严格的 Rg 和 UIS 测试,并符合 RoHS 指令要求,确保环境友好。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 管脚间电压 | 30 | - | - | V |
    | 漏源击穿电压 | - | - | 30 | V |
    | 通态漏源电阻 | 0.007 | - | 0.009 | Ω |
    | 连续漏极电流 | 3.13 | 90 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | - | - | 200 | A |
    | 最大功率耗散 | 100 | - | 75 | W |
    | 热阻 (结到壳) | 0.5 | - | 0.6 | °C/W |
    | 热阻 (结到环境) | 32 | - | 40 | °C/W |
    | 输入电容 | 2201 | - | - | pF |
    | 输出电容 | 525 | - | - | pF |
    | 反向传输电容 | 370 | - | - | pF |
    | 总栅极电荷 | 25 | 35 | - | nC |
    | 阈值电压 | 1.5 | 2.0 | - | V |

    产品特点和优势


    NTD40N03RT4G-VB 的主要特点包括:
    - TrenchFET® 技术:具有更低的导通电阻和更高的电流承载能力。
    - 严格的测试标准:100% Rg 和 UIS 测试确保产品的可靠性。
    - RoHS 合规性:符合环保标准,适用于绿色制造。
    这些特点使得 NTD40N03RT4G-VB 在高可靠性、低功耗应用中表现出色,如服务器电源管理和 OR-ing 应用。

    应用案例和使用建议


    NTD40N03RT4G-VB 广泛应用于 OR-ing 场景中,可以作为冗余电源管理系统的一部分。此外,在服务器电源管理中,它的低导通电阻使其能够高效管理大电流负载。对于 DC/DC 转换器,它能够提供稳定可靠的电力输出。
    使用建议:
    - 散热设计:由于其较高的最大功率耗散,合理的散热设计是必须的,以避免过热导致的性能下降。
    - 驱动电路设计:建议使用合适的栅极电阻来优化开关速度和降低电磁干扰。

    兼容性和支持


    NTD40N03RT4G-VB 支持广泛的输入电压范围,可以在多种电源环境中使用。此外,制造商提供了详细的文档和支持,包括安装指南和技术咨询,以确保用户能够在不同应用场景中充分利用其潜力。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关过程中出现异常高温。
    - 解决方案: 检查散热片的安装是否正确,并确保有足够的空气流通。

    2. 问题: 频繁的切换导致栅极信号不稳定。
    - 解决方案: 选择合适的栅极电阻值以优化信号质量。

    总结和推荐


    综上所述,NTD40N03RT4G-VB 是一款高效能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,特别适合于需要高电流处理能力和低功耗的应用场合。其卓越的技术规格和广泛的应用场景使其成为众多工业和消费电子产品中的理想选择。因此,强烈推荐该产品用于对性能和可靠性有严格要求的应用中。

NTD40N03RT4G参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
最大功率耗散 100W
Rds(On)-漏源导通电阻 0.009Ω@VGS = 4.5 V,ID = 18A
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 50A
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NTD40N03RT4G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD40N03RT4G数据手册

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