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FQD3N50C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V);TO252
供应商型号: 14M-FQD3N50C TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQD3N50C

FQD3N50C概述

    FQD3N50C-VB MOSFET 技术手册综述

    产品简介


    FQD3N50C-VB 是一种 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 VBsemi 公司制造。它广泛应用于工业控制、电源转换系统、电机驱动等领域。这款 MOSFET 能够提供低导通电阻和高雪崩耐受能力,确保高效且可靠的电力转换和控制。

    技术参数


    | 参数 | 值 |

    | 最大栅极-源极电压 (VGS) | ±30 V |
    | 最大漏极-源极电压 (VDS) | 650 V |
    | 最大连续漏极电流 (ID) | 4.2 A |
    | 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 18 A |
    | 雪崩能量 (EAS) | 325 mJ |
    | 最大结温 (TJ) | 150 °C |
    | 最小阈值电压 (VGS(th)) | 2.5 V |
    | 最大漏源导通电阻 (RDS(on)) | 2.1 Ω (VGS = 10 V) |
    | 栅极电荷 (Qg) | 48 nC |
    | 栅极-源极电荷 (Qgs) | 12 nC |
    | 栅极-漏极电荷 (Qgd) | 19 nC |

    产品特点和优势


    FQD3N50C-VB MOSFET 的关键特点包括:
    - 低栅极电荷:降低了驱动要求,简化了电路设计。
    - 改进的栅极、雪崩和动态 dv/dt 抗扰度:提高了可靠性。
    - 全面的电容和雪崩电压及电流特性:保证了器件的一致性。
    - 符合 RoHS 指令:环保合规。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 工业控制:用于电机驱动器,提供精准的控制和高效的电力转换。
    - 电源转换系统:适用于开关电源(SMPS)中作为主开关器件,确保高效率和稳定输出。
    使用建议:
    - 在设计时注意散热管理,特别是在高温环境下长时间运行时。
    - 确保栅极驱动器具备足够的驱动能力,以满足 MOSFET 的高速开关需求。

    兼容性和支持


    - 兼容性:这款 MOSFET 具有标准 TO-252 封装,易于与其他元器件集成。
    - 支持和服务:VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户解决设计和使用过程中的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:栅极电压不稳定导致驱动困难。
    - 解决方案:使用合适的栅极驱动器,并确保良好的 PCB 设计,减少寄生电感的影响。
    - 问题:在高温环境中表现不佳。
    - 解决方案:采取有效的散热措施,如增加散热片或使用热管散热。

    总结和推荐


    总体而言,FQD3N50C-VB MOSFET 是一款高性能、高可靠性的器件,特别适合于需要高电压、大电流和良好温度适应性的应用场合。它的低栅极电荷、高雪崩耐受能力和全面的特性使其成为众多电源转换和控制应用的理想选择。强烈推荐在相关项目中使用这款 MOSFET。

FQD3N50C参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FQD3N50C厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQD3N50C数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQD3N50C FQD3N50C数据手册

FQD3N50C封装设计

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