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VBZE60N02

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道场效应管,具有20V的标称漏极-源极电压(VDS),±20V的标称栅极-源极电压(VGS),以及0.5~1.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=2.5V时,其导通电阻(RDS(on))为6mΩ,在VGS=4.5V时为5mΩ。该器件最大漏极电流(ID)可达100A,采用Trench技术(沟槽结构),封装为TO252。该器件适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。
供应商型号: 14M-VBZE60N02 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZE60N02

VBZE60N02概述

    VBZE60N02 N-Channel 20-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    VBZE60N02 是一款高性能的 N-Channel 20-V(漏源电压)175°C MOSFET,由 VBsemi 公司制造。它采用先进的 TrenchFET™ 技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高可靠性的特点,广泛应用于电源管理、电机驱动、通信设备等多个领域。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS):20 V
    - 最大栅源电压 (VGS):±15 V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - 在 25°C 下:100 A
    - 在 100°C 下:80 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):200 A
    - 最高功耗 (PD):
    - 在 25°C 下:71 W
    - 在 TA = 25°C 下:8.3 W
    - 热阻 (RthJA):
    - 最大值:50°C/W
    - 零栅压漏极电流 (IDSS):1 µA(VDS = 20 V, VGS = 0 V)
    - 门-体漏电流 (IGSS):-100 nA(VDS = 0 V, VGS = -12 V)
    - 最大结温 (Tj):175°C
    - 存储温度范围 (Tstg):-55°C 至 175°C
    - 输入电容 (Ciss):3660 pF(VGS = 0 V, VDS = 20 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容 (Coss):730 pF(VGS = 0 V, VDS = 20 V, f = 1 MHz)
    - 反向传输电容 (Crss):375 pF
    - 总栅电荷 (Qg):26 nC 至 35 nC
    - 门源电荷 (Qgs):5 nC(VDS = 10 V, VGS = 4.5 V, ID = 40 A)

    产品特点和优势


    - TrenchFET™ 技术:采用先进的沟槽场效应晶体管技术,显著降低导通电阻。
    - 高可靠性:最大结温可达 175°C,确保在极端条件下的稳定性能。
    - 100% Rg 测试:每个产品都经过严格的栅电阻测试,保证产品的高可靠性。
    - 低导通电阻 (Rds(on)):最小值仅为 0.0045 Ω(在 VGS = 4.5 V, ID = 20 A, TJ = 125°C 下),适用于需要高效能的应用场景。

    应用案例和使用建议


    VBZE60N02 主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动、LED 驱动等领域。例如,在开关电源设计中,该 MOSFET 可以作为主开关管,利用其低导通电阻特性提高效率。对于电机驱动应用,该 MOSFET 可以承受高脉冲电流,保证驱动系统的稳定性和可靠性。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,注意散热设计,避免过热导致性能下降。
    - 使用软开关技术,减少开关损耗,提高系统效率。
    - 结合具体应用场景选择合适的驱动电路和保护措施,以提高系统的整体性能。

    兼容性和支持


    VBZE60N02 与多种电子元器件和设备兼容,适用于标准的 PCB 安装。VBsemi 公司提供详细的技术支持和售后服务,包括产品规格书、设计指南和技术文档等,确保用户能够充分发挥其性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何测量 MOSFET 的栅源电荷 (Qgs)?
    - 解决方案:使用专门的电荷测量设备,根据产品手册中的测试条件进行测量。
    2. 问题:在高温度环境下,MOSFET 的性能是否会受到影响?
    - 解决方案:通过良好的散热设计和选用适当的驱动电压,可以在高温环境下保持稳定的性能。
    3. 问题:如果需要更高的电流容量,是否可以并联多个 MOSFET?
    - 解决方案:可以并联使用,但需注意均流设计,确保各 MOSFET 均匀分担负载。

    总结和推荐


    VBZE60N02 N-Channel 20-V MOSFET 凭借其先进的 TrenchFET 技术、高可靠性以及低导通电阻等特点,成为电源管理和电机驱动应用的理想选择。无论是在设计效率还是可靠性方面,该产品都表现出色。我们强烈推荐在高功率和高频应用中使用 VBZE60N02,以实现最佳性能。
    如果您对 VBZE60N02 有任何疑问,或需要进一步技术支持,请联系我们的客户服务热线:400-655-8788。

VBZE60N02参数

参数
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@4.5V,3.5mΩ@2.5V
Id-连续漏极电流 145A
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 870mV
Vgs-栅源极电压 15V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZE60N02厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZE60N02数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZE60N02 VBZE60N02数据手册

VBZE60N02封装设计

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