处理中...

首页  >  产品百科  >  IRFL210TRPBF

IRFL210TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道 200V 1A 1.2Ω@10V SOT223
供应商型号: 14M-IRFL210TRPBF SOT223
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFL210TRPBF

IRFL210TRPBF概述


    产品简介


    IRFL210TRPBF-VB N-Channel MOSFET
    IRFL210TRPBF-VB 是一款高可靠性、高性能的N沟道功率MOSFET。它采用SOT-223封装,具有优异的动态dv/dt(电压变化率)和重复性雪崩耐受能力,适用于多种电力转换和控制应用。这款器件广泛应用于电源管理、电机驱动、工业控制和通信设备等领域。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS): 200V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 在VGS = 10V时为1.2Ω
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大值为8.2nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 1.8nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 4.5nC
    - 持续漏极电流 (ID): 在VGS = 10V时为1.0A,TC = 100°C时为0.8A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 5.0A
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 40°C/W
    - 结到外壳(漏)热阻 (RthJC): 60°C/W
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS): 50mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR): 0.96A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 0.31mJ
    - 峰值二极管恢复电压变化率 (dV/dt): 5.0V/ns
    - 最大工作结温和存储温度 (TJ, Tstg): -55至+150°C

    产品特点和优势


    1. 动态dv/dt评级: 支持高速开关操作。
    2. 重复性雪崩评级: 高可靠性,在极端条件下也能正常工作。
    3. 易于并联: 方便实现多管并联以提高电流承载能力。
    4. 简单的驱动要求: 只需要简单的驱动电路,便于集成和设计。
    5. 低导通电阻 (RDS(on)): 在高频开关应用中提供更高的效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRFL210TRPBF-VB 在多种电力转换系统中得到了广泛应用,如电源转换器、逆变器、电机驱动器等。例如,在一个典型的DC-DC转换器应用中,IRFL210TRPBF-VB可以作为主开关管,由于其高耐压能力和快速开关性能,可以在宽负载范围内保持高效运行。
    使用建议
    1. 散热设计: 在高功率应用中,建议使用较大的散热片或者散热器,以保证器件的正常工作温度不超出范围。
    2. 布局设计: 由于其内部寄生电感较高,建议使用低引线电感的电路板设计,例如增加地平面来降低回路电感。
    3. 驱动电路: 简单的驱动电路即可满足需求,但确保驱动电压在规定范围内,避免过高的驱动电压导致器件损坏。

    兼容性和支持


    IRFL210TRPBF-VB与常见的驱动IC兼容,可以方便地集成到现有的电路设计中。厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,以帮助用户更好地理解和使用该产品。此外,该器件符合RoHS和无卤标准,适用于对环保有要求的应用场合。

    常见问题与解决方案


    1. 问:IRFL210TRPBF-VB的最大工作温度是多少?
    - 答: IRFL210TRPBF-VB的最大工作温度为150°C,确保在极端环境下器件仍能正常工作。

    2. 问:如何降低器件的工作温度?
    - 答: 使用更大的散热片或散热器可以帮助降低工作温度。此外,合理的PCB布局和驱动电路设计也可以减少器件的发热量。
    3. 问:IRFL210TRPBF-VB的典型应用场景是什么?
    - 答: 它适合用于电源转换器、逆变器、电机驱动器等电力转换系统中。在这些应用中,它的高耐压能力和快速开关性能使其成为理想的选择。

    总结和推荐



    总结


    IRFL210TRPBF-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,适用于多种电力转换应用。其优秀的性能指标和易于集成的特点,使得它在众多应用场景中表现出色。
    推荐
    鉴于其出色的性能和广泛的适用性,我们强烈推荐IRFL210TRPBF-VB作为电力转换系统的首选器件。无论是对效率有严格要求的应用还是需要长期稳定工作的场合,它都是理想的选择。

IRFL210TRPBF参数

参数
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 6.6A,10V
Vds-漏源极击穿电压 200V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.2nF@ 25V
栅极电荷 44nC@ 10V
配置 -
最大功率耗散 3W;125W
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 11A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250uA
通道数量 -
通用封装 SOT-223
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRFL210TRPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFL210TRPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF数据手册

IRFL210TRPBF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.7321
50+ ¥ 1.6302
150+ ¥ 1.455
500+ ¥ 1.0902
2500+ ¥ 1.0495
7500+ ¥ 1.0189
库存: 0
起订量: 5 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336