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VBM1303

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220 适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: 14M-VBM1303 TO-220AB
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBM1303

VBM1303概述

    VBM1303 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    VBM1303 是一款由VBsemi公司生产的N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它适用于多种电子应用,如电源管理、开关电路和电池管理系统等。该产品特别适合用于服务器、DC/DC转换器和电源控制等领域。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 30V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): \(\pm 20\)V
    - 连续漏极电流 \(ID\): \(120\)A (\(TC = 25 ^{\circ}C\)),\(60\)A (\(TC = 70 ^{\circ}C\))
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\): \(380\)A
    - 单脉冲雪崩电流 \(I{AS}\): \(36\)A
    - 雪崩能量 \(E{AS}\): \(64.8\)V
    - 连续二极管电流 \(IS\): \(90\)A (\(TC = 25 ^{\circ}C\))
    - 最大耗散功率 \(PD\): \(250\)W (\(TC = 25 ^{\circ}C\)),\(175\)W (\(TC = 70 ^{\circ}C\))
    - 工作结温范围 \(T{J}, T{stg}\): \(-55\)至\(175^{\circ}C\)
    - 热阻率
    - 最大结到环境的热阻率 \(R{thJA}\): \(32\)至\(40 \,^{\circ}C/W\)
    - 最大结到外壳的热阻率 \(R{thJC}\): \(0.5\)至\(0.6 \,^{\circ}C/W\)
    - 静态规格
    - 漏源击穿电压 \(V{DS}\): \(30\)V (\(V{GS} = 0V, ID = 250\mu A\))
    - 栅源阈值电压 \(V{GS(th)}\): \(1.0\)至\(2.5\)V (\(V{DS} = V{GS}, ID = 250\mu A\))

    产品特点和优势


    VBM1303 主要特点是采用了TrenchFET®工艺,使其具有更低的导通电阻和更高的开关速度。它还通过了所有可靠性测试,包括 UIS 测试,并符合RoHS指令。这确保了产品在高电流和高温度下的稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    VBM1303 适用于各种应用场景,如 OR-ing 电路、服务器和 DC/DC 转换器。在设计时,用户需注意散热问题,建议使用散热片以避免高温导致的可靠性问题。例如,在高负载环境下使用时,应确保 PCB 板有足够的散热面积。

    兼容性和支持


    VBM1303 的封装形式为 TO-220AB,该封装广泛应用于各种电子设备中,因此与其他标准电子元器件具有良好的兼容性。VBsemi公司提供了详细的技术支持和售后维护,用户可以通过服务热线 \(400-655-8788\) 获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品在高温下工作不稳定。
    - 解决办法: 使用外部散热片增加散热效果,确保电路板设计具有足够的通风口和散热面积。
    2. 问题:产品在脉冲状态下出现过热现象。
    - 解决办法: 减少脉冲频率或降低每次脉冲的时间长度,同时确保产品的工作环境温度不超过规定范围。
    3. 问题:产品出现关断不完全的情况。
    - 解决办法: 检查栅极驱动信号,确保其达到所需的电压水平并具有适当的持续时间。

    总结和推荐


    综上所述,VBM1303 是一款性能优良的 N沟道 MOSFET,具有较低的导通电阻和高可靠性。特别适用于需要高性能功率管理的应用场合。其卓越的设计和可靠性使得其在同类产品中脱颖而出。对于需要高性能 MOSFET 的客户,强烈推荐使用 VBM1303。

VBM1303参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 120A
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4mΩ@4.5V
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBM1303厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBM1303数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBM1303 VBM1303数据手册

VBM1303封装设计

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