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NTF2955PT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P沟道 -60V -7A 55mΩ@-10V SOT223
供应商型号: 14M-NTF2955PT1G SOT223
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTF2955PT1G

NTF2955PT1G概述

    NTF2955PT1G-VB P-Channel 60-V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    NTF2955PT1G-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的P沟道60V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它采用了TrenchFET®工艺,具备出色的热性能和可靠性。这种MOSFET广泛应用于负载开关,能够高效管理电力流,适用于多种工业和消费电子应用。

    2. 技术参数


    关键技术参数如下:
    - 最大漏源电压 (VDS): 60V
    - 连续漏极电流 (ID): 25°C 下为70A,70°C 下为5.2A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 25A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 10.1mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 25°C 下为10.4W,70°C 下为6.6W
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): -1.0V ~ -2.5V
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)): 在VGS = -10V 下为0.0Ω,VGS = -4.5V 下为0.0Ω
    - 输入电容 (Ciss): 1500pF
    - 输出电容 (Coss): 200pF
    - 反向转移电容 (Crss): 150pF
    - 总栅电荷 (Qg): 在VGS = -5A 下为38nC,在VGS = -4.5V 下为19nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 9nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 10nC
    典型操作温度范围: -55°C 至 150°C

    3. 产品特点和优势


    NTF2955PT1G-VB 的特点和优势包括:
    - 高效率: 低漏源导通电阻 (RDS(on)) 和高效的栅电荷使得它具有较高的效率。
    - 强抗冲击能力: 可承受高达10.1mJ的单脉冲雪崩能量,确保设备在极端条件下的稳定运行。
    - 宽温工作范围: 从-55°C 到 150°C,使其适用于各种严苛环境。
    - 集成技术: 使用TrenchFET®工艺,提高了器件的可靠性和性能。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用场景包括:
    - 负载开关: 用于电源管理和保护电路。
    - 直流-直流转换器: 作为开关组件提高转换效率。
    使用建议:
    - 散热设计: 由于其较高的功耗,确保散热系统的有效设计。
    - 布局优化: 尽量减少寄生电感,提升整体效率。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 封装类型: SOT-223,适合表面贴装。
    - 支持的电路板尺寸: 1英寸x1英寸FR4板。
    厂商支持:
    - 技术支持: 提供详细的技术文档和应用指南。
    - 销售咨询: 客服热线 400-655-8788,随时解答您的疑问。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    - 问题1: 设备过热。
    - 解决办法: 检查散热设计是否合理,必要时增加散热片。

    - 问题2: 开关速度慢。
    - 解决办法: 确保驱动信号的频率足够高,检查驱动电路的配置。

    7. 总结和推荐


    总结:
    NTF2955PT1G-VB 是一款高性能的P沟道60V MOSFET,具有低功耗、高效率和宽工作温度范围等特点,适用于各种高要求的工业和消费电子应用。它的高可靠性以及优秀的热性能使其在市场上具有很强的竞争优势。
    推荐使用:
    强烈推荐使用 NTF2955PT1G-VB,特别是在需要高效率和可靠性的应用中。厂商提供详尽的支持和技术文档,确保用户可以轻松上手并充分发挥其性能优势。

NTF2955PT1G参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
Id-连续漏极电流 7A
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 55mΩ@10V
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 SOT-223
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NTF2955PT1G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTF2955PT1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTF2955PT1G NTF2955PT1G数据手册

NTF2955PT1G封装设计

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