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VBE2104N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-100V,-40A,RDS(ON),0.033Ω@-10V, 20Vgs(±V);-1~-2.5Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: 14M-VBE2104N TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBE2104N

VBE2104N概述


    产品简介


    P-Channel 100 V MOSFET(型号:VBE2104N)
    P-Channel 100 V MOSFET 是一款高性能的电子元器件,具有以下特点:
    - 主要功能:适用于电源管理、电机驱动、直流-直流转换器等多种应用领域。
    - 产品类型:P-Channel MOSFET,符合RoHS标准和无卤素要求。
    - 应用领域:广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备及消费电子产品等领域。

    技术参数


    以下是该产品的技术规格和技术参数:
    - 最大电压(VDS):100 V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):1.0 V 至 -2.5 V
    - 最大连续漏极电流(ID):-40 A
    - 漏极-源极导通电阻(RDS(on)):
    - 在VGS = -10 V时:0.033 Ω
    - 在VGS = -4.5 V时:0.037 Ω
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):-150 A
    - 最大单脉冲雪崩电流(IAS):-44 A
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):96 mJ
    - 最大功耗(PD):
    - 在25 °C时:136 W
    - 在125 °C时:45 W
    - 最大工作温度范围(TJ, Tstg):-55 °C 至 +175 °C

    产品特点和优势


    - 低热阻封装:具备低热阻封装,适合大功率应用。
    - 全检测试:100%的Rg和UIS测试确保产品质量。
    - 符合环保标准:符合RoHS标准和无卤素要求,满足环保需求。
    - 高可靠性:经过严格的测试和验证,保证高可靠性。
    - 优异的性能:出色的静态和动态特性使其在多种应用场景中表现出色。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该产品适用于多种场合,例如:
    - 电源管理系统:用于DC-DC转换器,提供高效稳定的电压转换。
    - 电机驱动系统:用于电动机的精确控制和驱动。
    - 通信设备:作为电源开关,确保系统的稳定运行。
    使用建议
    - 散热设计:为了提高散热效果,建议使用大面积的散热片,并确保良好的空气流通。
    - 电路布局:尽量减少引线长度,以降低寄生电感和电容的影响。
    - 过载保护:在电路中加入适当的过流保护措施,防止过载损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可直接替换市面上常见的P-Channel MOSFET,且无需修改电路板设计。
    - 支持和服务:台湾VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,包括产品咨询、故障排除和技术培训。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 产品过热
    2. 电路稳定性差
    解决方案
    1. 产品过热:检查散热设计,增加散热片面积并改善空气流通。
    2. 电路稳定性差:检查电路连接是否正确,确保电源和地线的稳定。

    总结和推荐


    综合评估
    P-Channel 100 V MOSFET(型号:VBE2104N)具有出色的性能和可靠性,适用于多种应用场景。其低热阻封装、高可靠性测试和符合环保标准的特点,使其在市场上具有很强的竞争优势。
    推荐
    鉴于其卓越的性能和广泛的适用性,强烈推荐在电源管理、电机驱动和其他需要高效能电子元器件的应用中使用此产品。

VBE2104N参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-2.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ@ -10V
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 40A
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBE2104N厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBE2104N数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBE2104N VBE2104N数据手册

VBE2104N封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 5.9657
10+ ¥ 5.4331
30+ ¥ 5.1288
100+ ¥ 4.5169
300+ ¥ 4.3465
900+ ¥ 4.2612
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