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UTT30N06L-TN3-R

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-UTT30N06L-TN3-R TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT30N06L-TN3-R

UTT30N06L-TN3-R概述

    UTT30N06L-TN3-R-VB MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    UTT30N06L-TN3-R-VB 是一款高性能 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 TO-252 封装形式。这款 MOSFET 适用于多种高功率电子设备,包括电源管理和电池管理等领域。其独特的 TrenchFET® 技术使得它具备更低的导通电阻(rDS(on))和更高的工作温度范围,特别适合于高温和高可靠性应用场合。

    技术参数


    - 基本规格
    - 漏源击穿电压 \( V{(BR)DSS} \): 60V
    - 门限电压 \( V{GS(th)} \): 1.0~3.0V
    - 零门压漏电流 \( I{DSS} \): 1μA @ \( V{DS} \)=60V, \( V{GS} \)=0V, \( TJ \)=125°C
    - 正向导通电流 \( ID \): 50A @ \( V{DS} \)=5V, \( V{GS} \)=10V
    - 导通电阻 \( r{DS(on)} \): 0.025Ω @ \( V{GS} \)=10V, \( ID \)=15A
    - 输入电容 \( C{iss} \): 150pF @ \( V{GS} \)=0V, \( V{DS} \)=25V, \( f \)=1MHz
    - 热性能
    - 最大结温 \( T{J(max)} \): 175°C
    - 热阻 \( R{thJA} \): 18°C/W (稳态)
    - 最大功耗 \( P{D(max)} \): 100W @ \( TA \)=25°C

    产品特点和优势


    - 低导通电阻: 该 MOSFET 具有极低的导通电阻(rDS(on)),保证了高效能的电力转换。
    - 高工作温度: 支持高达 175°C 的结温,适用于高温环境下的稳定运行。
    - 出色的开关特性: 快速的开关时间,降低了开关损耗,提高了整体效率。
    - 安全操作区: 广泛的 Safe Operating Area(SOA)保护,确保设备在极端条件下的可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电源管理系统: 用于开关电源中的降压转换器,实现高效的电压调节。
    - 电机驱动器: 用于工业自动化领域的电机控制,提高系统的响应速度和精度。
    - 使用建议:
    - 在高温环境中使用时,应注意散热设计,避免过热导致的失效。
    - 对于快速开关的应用场合,建议使用适当的门极电阻,以减小开关损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品与主流的 TO-252 封装的电路板相兼容,易于集成到现有的设计中。
    - 支持: 厂商提供全面的技术支持和售后服务,包括详尽的技术文档和专业的技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备在高温环境下运行时,出现性能下降现象。
    - 解决方法: 确保散热良好,使用合适的散热片或风扇辅助降温。
    - 问题2: 开关过程中出现振荡现象。
    - 解决方法: 添加适当的门极电阻和门极电容,优化电路布局,减少寄生电感的影响。

    总结和推荐


    UTT30N06L-TN3-R-VB MOSFET 具有出色的导通特性和宽广的工作温度范围,适合应用于需要高可靠性和高效率的场合。其卓越的性能和广泛的适用性使其在市场上具有显著的竞争优势。因此,强烈推荐在各种高功率电力管理设备中使用该产品。

UTT30N06L-TN3-R参数

参数
栅极电荷 -
最大功率耗散 100W
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 35A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 0.069Ω@VGS = 10 V,ID = 15 A,TJ = 175 °C
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTT30N06L-TN3-R厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT30N06L-TN3-R数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT30N06L-TN3-R UTT30N06L-TN3-R数据手册

UTT30N06L-TN3-R封装设计

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型号 价格(含增值税)
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