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VB1330

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
供应商型号: 14M-VB1330 SOT-23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VB1330

VB1330概述


    产品简介


    本篇技术手册介绍了VB1330型N沟道30V(D-S)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用TrenchFET®技术制造,是高效的功率MOSFET。这种类型的MOSFET广泛应用于DC/DC转换器等电源管理模块中。

    技术参数


    - 最大耐压 (VDS): 30V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在VGS = 10V时: 0.030Ω
    - 在VGS = 4.5V时: 0.033Ω
    - 连续漏极电流 (ID):
    - 在TJ = 150°C时, 以不同温度条件下的电流限制为: 5.3A (TA = 25°C), 5.0A (TA = 70°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 25A
    - 最大功率耗散 (PD):
    - 在不同温度条件下的功率限制为: 1.7W (TC = 25°C), 1.1W (TC = 70°C)
    - 热阻 (RthJA):
    - 最大值: 115°C/W
    - 工作温度范围: -55°C至150°C

    产品特点和优势


    VB1330具有以下特点:
    - 符合RoHS标准,且无卤化物,适用于对环境要求高的应用场景。
    - 100% Rg测试保证其可靠性和稳定性。
    - 高效率,低功耗特性使其成为理想的选择用于电源管理和节能系统中。
    - 适用于多种电路设计,如开关电源、LED驱动等。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - DC/DC转换器:可用于笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备中,以提高电源效率。
    - 电池充电电路:适合用于充电电路,能有效减少热耗散并提高系统稳定性。
    使用建议
    - 在使用VB1330时,应注意散热设计,确保其在高温环境下的稳定运行。
    - 考虑到不同的应用环境,可以采用外部冷却措施,如散热片或风扇,来降低其温度,以延长使用寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET支持多种电路布局和电源管理系统,且易于与现有设备集成。
    - 支持:VBsemi提供全面的技术支持和客户服务,包括产品使用咨询、技术支持和售后保障。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高导致的性能下降 | 确保良好的散热设计,并增加外部冷却措施,如散热片或风扇。 |
    | 工作电流超过额定值 | 减少负载电流,或者更换更高电流容量的MOSFET。 |
    | 开关损耗过大 | 检查电路设计,优化负载电流和电压配置。 |

    总结和推荐


    VB1330是一款高性能、高可靠性且环保的N沟道MOSFET。它的低导通电阻和高效的电源管理特性使其非常适合于多种应用,如DC/DC转换器和电池充电电路。此外,它还具备良好的散热性能和兼容性,能够满足现代电子设备的需求。综上所述,我们强烈推荐VB1330作为高效的功率管理解决方案。
    请注意,对于特定应用的详细验证,建议联系VBsemi的专业技术团队进行详细咨询。

VB1330参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,33mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V~2.2V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 6.5A
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VB1330厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VB1330数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VB1330 VB1330数据手册

VB1330封装设计

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