处理中...

首页  >  产品百科  >  IPD85P04P4-07

IPD85P04P4-07

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-40V,-110A,RDS(ON),4.8mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-IPD85P04P4-07 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD85P04P4-07

IPD85P04P4-07概述

    P-Channel 40V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    本手册详细介绍了P-Channel 40V MOSFET(以下简称IPD85P04P4-07-VB)的相关信息。该器件是一种高压P沟道MOSFET,具有较高的温度稳定性(最高可达到175℃),适用于各种高要求的应用环境。其采用先进的TrenchFET®技术,具备低导通电阻(RDS(on))和低热阻封装,以实现高效能操作。IPD85P04P4-07-VB 主要应用于电机控制、电源管理及工业自动化等领域。

    2. 技术参数


    - 电压参数
    - 极限电压:40V
    - 门源电压极限:±20V
    - 导通电压极限:10V
    - 电流参数
    - 连续漏极电流:-90A
    - 脉冲漏极电流:-280A
    - 电阻参数
    - 源漏极导通电阻:在VGS = -10V时为0.0068Ω
    - 温度参数
    - 工作温度范围:-55℃至+175℃
    - 存储温度范围:-55℃至+175℃
    - 热阻参数
    - 结点到环境热阻:50℃/W
    - 结点到外壳热阻:1.1℃/W

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:IPD85P04P4-07-VB采用TrenchFET®技术,显著提高MOSFET的可靠性和寿命。
    - 低温漂移特性:即使在高温环境下也能保持良好的性能,这使得它非常适合在极端环境下使用。
    - 高集成度:集成低热阻设计,有助于减小散热片的体积,节省电路板空间。
    - 低RDS(on):在常见的VGS电压下,其RDS(on)极低,确保低功耗运行。

    4. 应用案例和使用建议


    IPD85P04P4-07-VB常用于各类需要高性能和高稳定性的应用中。例如,在电机驱动系统中作为功率开关,或在电源管理系统中作为负载切换器件。为了优化其性能,建议将器件安装在具有良好热管理的PCB上,以确保其在高温条件下的稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    IPD85P04P4-07-VB与大多数常见的电路板和封装工艺兼容。VBsemi公司提供全面的技术支持,包括详细的安装指南、应用文档和售后维护服务。客户可以通过电话(400-655-8788)联系VBsemi获取更多帮助和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:IPD85P04P4-07-VB能否承受短时间内的高电流冲击?
    - A:可以,其最大脉冲漏极电流为-280A,但需注意不要超过推荐的脉宽和占空比限制。
    - Q:如何确保IPD85P04P4-07-VB在高温环境下正常工作?
    - A:建议采用有效的散热措施,如添加散热片或优化PCB设计,确保温度不超过其额定值。

    7. 总结和推荐


    IPD85P04P4-07-VB凭借其卓越的性能和广泛的应用范围,在高压MOSFET市场上具备显著的竞争优势。特别是对于那些对温度和稳定性有严格要求的应用场合,如电机驱动、电源转换等领域,IPD85P04P4-07-VB是一个理想的解决方案。强烈推荐将其纳入相关设计考虑之中。
    综上所述,IPD85P04P4-07-VB是一款出色的P-Channel 40V MOSFET,具有出色的稳定性和可靠性。强烈推荐在多种应用中使用该器件。

IPD85P04P4-07参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 6.8mΩ
FET类型 1个P沟道
击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
最大功率耗散 -
最大功率 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.675nF
配置 独立式
Idss-饱和漏极电流 -
Id-连续漏极电流 85A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

IPD85P04P4-07厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD85P04P4-07数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD85P04P4-07 IPD85P04P4-07数据手册

IPD85P04P4-07封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 2.6218
库存: 2490
起订量: 5 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 13.1
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336