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VBI2338

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-5.8A,RDS(ON),50mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SOT-89-3
供应商型号: 14M-VBI2338
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBI2338

VBI2338概述

    VBI2338 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    VBI2338 是一款由台湾VBsemi公司生产的P通道MOSFET。该器件采用TrenchFET®技术制造,具备极低的导通电阻(RDS(on)),适用于负载开关和电池切换等多种应用场合。主要功能包括高电压耐受能力、低导通损耗以及快速开关特性,使其成为电力管理和转换应用的理想选择。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 (VDS) | -30 | V |
    | 持续漏电流 (ID) | -7.6 | A |
    | 最大脉冲漏电流 (IDM)| -35 | A |
    | 工作温度范围 (TJ, Tstg) | -55 至 150 | °C |
    | 最大功率耗散 (PD) | 6.5 | W |
    | 热阻 (RthJA) | 40/50 | °C/W |
    注释:
    - 脉冲测试;脉宽 ≤ 300 µs,占空比 ≤ 2 %。
    - 漏源导通电阻在不同栅源电压下的变化:VGS = -10 V时为0.050 Ω;VGS = -4.5 V时为0.056 Ω。
    - 输入电容(Ciss)、输出电容(Coss) 和反向转移电容(Crss) 分别为1355 pF、180 pF 和145 pF。

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻 (RDS(on)):在VGS = -10 V时仅为0.050 Ω,在VGS = -4.5 V时为0.056 Ω,使得能耗更低,效率更高。
    2. 高耐压:最大漏源电压达-30 V,适合高压应用环境。
    3. 快速开关特性:典型开关时间为纳秒级,适用于高频切换应用。
    4. 无卤素设计:符合IEC 61249-2-21标准,环保友好。

    应用案例和使用建议


    1. 负载开关:在需要频繁开关的电路中使用,可以显著降低能耗并提高系统可靠性。
    2. 电池切换:在电池供电系统中作为开关使用,可以延长电池寿命。
    3. 电源管理:应用于电源管理系统中,提供高效稳定的电源转换。
    建议:
    - 在使用过程中,确保散热良好,以避免过热导致器件损坏。
    - 根据不同的应用需求选择合适的栅源电压 (VGS),以达到最佳性能。

    兼容性和支持


    VBI2338 MOSFET 与多种电路板兼容,适用于广泛的应用领域。厂商提供详细的技术文档和支持,以帮助用户更好地了解和使用该器件。若有任何技术支持需求,可通过400-655-8788联系厂商客服。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何判断VBI2338是否正常工作?
    解决方案:检查栅源电压(VGS)是否处于规范范围内,同时观察是否有发热异常情况。

    2. 问题:能否用于高频率应用?
    解决方案:由于其快速的开关特性,VBI2338适用于高频率应用。但在使用前应确保设计满足必要的散热要求。

    总结和推荐


    VBI2338 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款性能优异的器件,特别适用于负载开关和电池切换等应用。其低导通电阻、高耐压及快速开关特性使其在电力管理和转换领域具有显著的优势。强烈推荐在相关应用中使用该产品,特别是对性能要求较高的场合。

VBI2338参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -600mV~-2V
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@10V,56mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 5.8A
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 SOT-89-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBI2338厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBI2338数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBI2338 VBI2338数据手册

VBI2338封装设计

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