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KHB9D5N20F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,10A,RDS(ON),283mΩ@10V,300mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO-220F
供应商型号: 14M-KHB9D5N20F TO-220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KHB9D5N20F

KHB9D5N20F概述

    KHB9D5N20F-VB N-Channel 200V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    KHB9D5N20F-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品主要适用于高压隔离应用,提供高电压隔离能力、低热阻、动态dv/dt额定值和低温升操作温度等关键特性。其主要应用于电源转换器、电机驱动系统和各种工业控制设备中,是电力电子领域的重要组成部分。

    2. 技术参数


    以下是 KHB9D5N20F-VB 的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 200 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 栅源漏电流 | IDSS | - | - | 25 | µA |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.265 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 560 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | - | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | - | - | - | pF |
    | 门极总电荷 | Qg | - | - | 6 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 4.4 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | - | 7.7 | nC |
    | 开关时间延迟(开通) | td(on) | - | 8 | - | ns |
    | 开关时间延迟(关断) | td(off) | - | 19 | - | ns |
    | 热阻(结至环境) | RthJA | - | - | 65 | °C/W |
    | 热阻(结至外壳) | RthJC | - | - | 4.1 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    KHB9D5N20F-VB 的核心特点是:
    - 高电压隔离能力:2.5 kVRMS(耐受60秒的60Hz交流电),确保在高压应用中的可靠性和安全性。
    - 低热阻:热阻较低,有助于提高散热效率,减少热应力。
    - 动态 dv/dt 额定值:具有良好的动态性能,能够应对快速变化的电压。
    - 低温升操作温度:可在高达175°C的工作温度下稳定运行,适用于高温环境。
    这些特点使得 KHB9D5N20F-VB 在高压、高频及高温环境下表现出色,提升了系统的整体可靠性和稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    KHB9D5N20F-VB 广泛应用于电源转换器、电机驱动系统、工业控制设备等。以下是一些典型的应用场景和建议:
    - 电源转换器:利用其高电压隔离能力和低热阻特性,可以有效提升电源转换效率和可靠性。
    - 电机驱动系统:其动态dv/dt额定值使其在电机驱动过程中能更好地处理高速切换带来的电压波动。
    - 工业控制设备:能够在恶劣的工业环境中长期稳定运行,满足高温、高压等严苛条件下的需求。
    使用建议:
    - 为确保最佳性能,应在设计电路时考虑散热问题,尽量选择较大的散热片以降低热阻。
    - 在高频应用中,应特别注意寄生电感的影响,合理布局 PCB 以减少寄生电感,提高系统稳定性。

    5. 兼容性和支持


    KHB9D5N20F-VB 支持 RoHS 规范,确保符合环保要求。厂商提供全面的技术支持和维护服务,包括数据手册、应用指南和技术支持文档。此外,还可通过VBsemi官方网站获取最新的产品信息和技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何确保 MOSFET 在高温环境下的可靠性?
    解决方案:选择具有较高工作温度范围的产品,并确保良好的散热设计,例如使用较大的散热片或强制风冷。
    - 问题:如何减小开关过程中的 dv/dt 峰值?
    解决方案:使用合适的栅极电阻值(通常在 10Ω 至 20Ω 之间),并尽量缩短栅极回路的物理长度以减小寄生电感的影响。

    7. 总结和推荐


    KHB9D5N20F-VB 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET,其高电压隔离能力、低热阻和宽工作温度范围使其在多种应用中表现优异。我们强烈推荐这款产品用于需要高可靠性、高性能和良好散热的高压电力电子应用场合。其出色的性价比也使得它成为市场上非常有竞争力的选择。

KHB9D5N20F参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 265mΩ@ 10V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 10A
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KHB9D5N20F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KHB9D5N20F数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KHB9D5N20F KHB9D5N20F数据手册

KHB9D5N20F封装设计

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