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BSS84AK

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-0.5A,RDS(ON),3000mΩ@10V,3680mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.87Vth(V);SOT23
供应商型号: 14M-BSS84AK SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) BSS84AK

BSS84AK概述

    BSS84AK-VB P-Channel 60V MOSFET 技术手册分析

    产品简介


    BSS84AK-VB 是一款高性能的 P 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高压开关应用设计。它采用了先进的 TrenchFET® 技术,具有低导通电阻、高开关速度和较低的阈值电压等特点,适用于多种工业和消费电子领域的高效率开关应用。
    主要功能:
    - 高压开关:支持高达 60V 的漏极-源极电压。
    - 低导通电阻:典型值为 3Ω,在 VGS = -10V 下运行时显著降低功耗。
    - 快速开关:典型的开关时间为 20ns,确保高效快速切换能力。
    应用领域:
    - 用于高边开关电路,如电机驱动器、LED 照明控制及直流/直流转换器等。
    - 开关电源设计中实现能量管理。
    - 各种便携式电子产品中的功率控制模块。

    技术参数


    以下是根据技术手册整理的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS -60 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±20 V |
    | 持续漏极电流(Ta=25°C) | ID -500 mA |
    | 脉冲漏极电流(Ta=25°C) | IDM -1500 mA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 4 | 3 | 9 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | 23 pF |
    | 输出电容 | Coss | 10 pF |
    | 反向传输电容 | Crss | 5 pF |
    | 零栅压漏极电流(IDSS) | IDSS | -25 mA |
    工作环境:
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 储存温度范围:-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    BSS84AK-VB 具备多项卓越的技术特性,使其在市场上具有较强的竞争力:
    - 低导通电阻:有效减少功耗,提高能效。
    - 快速开关速度:非常适合高频应用场合。
    - 低输入电容:有助于降低驱动功率需求。
    - 符合环保标准:无卤素设计,并满足 RoHS 和 IEC 61249-2-21 标准要求。
    这些特点使得 BSS84AK-VB 成为一种理想的选择,特别是在需要高效能、小型化且环保的产品设计中。

    应用案例和使用建议


    BSS84AK-VB 可广泛应用于多个领域,例如:
    - 电机控制:利用其快速响应特性来精确控制电动机的速度与方向。
    - LED 驱动器:提供稳定的电流输出以延长 LED 使用寿命。
    - 直流/直流转换器:通过高效的能量转换提高整体系统效率。
    为了最大化发挥其潜力,建议用户注意以下几点:
    - 在设计电路时,确保所有连接点牢固可靠,避免接触不良导致性能下降。
    - 定期检查工作温度是否超出安全范围,必要时采取散热措施。

    兼容性和支持


    该器件支持主流的焊接工艺,并且与大多数现有的 PCB 板材兼容。VBsemi 提供全面的技术支持服务,包括在线文档下载、样品申请以及技术支持热线(400-655-8788),帮助客户解决任何技术难题。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的用户反馈及其对应解决方案:
    1. 问题: 设备启动后出现异常噪音。
    - 解决方案: 检查所有连接线是否正确连接,确认供电电压稳定。
    2. 问题: 设备过热。
    - 解决方案: 添加适当的散热片或改进散热机制。

    总结和推荐


    综上所述,BSS84AK-VB 是一款出色的 P 沟道增强型功率 MOSFET,具备优异的性能表现和广泛的适用性。对于那些寻求高效能、低成本解决方案的企业和个人来说,这无疑是一个值得信赖的选择。因此,强烈推荐此产品作为高性能开关应用的理想组件之一。

BSS84AK参数

参数
栅极电荷 0.35nC@ 5V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 31pF
Id-连续漏极电流 180mA
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
最大功率耗散 460mW
配置 -
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

BSS84AK厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

BSS84AK数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 BSS84AK BSS84AK数据手册

BSS84AK封装设计

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