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NVTR4502PT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-5.6A,RDS(ON),47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-NVTR4502PT1G SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NVTR4502PT1G

NVTR4502PT1G概述

    NVTR4502PT1G-VB P-Channel MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    NVTR4502PT1G-VB 是一款适用于移动计算的 P-Channel MOSFET(P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)。它的主要功能是用作负载开关、笔记本适配器开关及直流-直流转换器中的开关组件。此器件广泛应用于便携式电子设备中,如笔记本电脑、平板电脑和其他便携式计算设备。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS):最大值为 -30 V
    - 连续漏极电流 (ID):最高 -5 A(当 TC = 25°C 时),-4.3 A(当 TC = 70°C 时)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):最大值为 -18 A
    - 导通电阻 (RDS(on)):典型值为 0.046 Ω (VGS = -10 V),0.049 Ω (VGS = -6 V),0.054 Ω (VGS = -4.5 V)
    - 门电荷 (Qg):典型值为 11.4 nC (VGS = -4.5 V, ID = -5.4 A),最大值为 36 nC
    - 反向恢复时间 (trr):典型值为 15 ns
    - 绝对最大额定值:最高栅源电压 (VGS) 为 ±20 V,最大功率耗散 (PD) 为 2.5 W(当 TC = 25°C 时)

    产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:提供了低导通电阻,保证了高效的功率损耗和良好的热性能。
    - 100% 测试:确保所有产品都经过栅极电阻 (Rg) 测试,提高了产品质量和可靠性。
    - 低门电荷:这有助于降低开关过程中的能量损失,提高了整体效率。

    应用案例和使用建议


    - 笔记本适配器开关:此器件可以在高频率开关条件下工作,从而提高转换效率。
    - 负载开关:适用于需要精确控制和快速响应的应用。
    - 直流-直流转换器:适用于便携式设备中电源管理的需求,能够有效控制输出电流。
    使用建议:
    - 在使用过程中要确保合适的散热设计,以避免因过热导致的损坏。
    - 由于 MOSFET 的高频特性,需要考虑电路布局中的寄生参数对性能的影响。

    兼容性和支持


    - 该产品支持标准的 SOT-23 和 TO-236 封装,可以方便地进行表面贴装。
    - 厂商提供全方位的技术支持,包括详尽的技术手册和详细的在线帮助资源。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备无法正常启动。
    - 解决方案:检查输入电压和电流是否符合规格要求,确保接线正确且无短路。
    2. 问题:发热严重。
    - 解决方案:检查散热措施是否得当,必要时增加散热片或冷却风扇。

    总结和推荐


    NVTR4502PT1G-VB MOSFET 具有出色的性能,低功耗和高可靠性,非常适合于各种便携式电子设备中的应用。其高效能的 TrenchFET® 技术使其在市场上具有较强的竞争力。总体来说,强烈推荐这款 MOSFET 用于需要高性能开关功能的设备中。
    此概述全面介绍了 NVTR4502PT1G-VB MOSFET 的主要功能和技术参数,以及其应用案例和建议。希望这些信息能够帮助您更好地了解和选择这款 MOSFET。

NVTR4502PT1G参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 2.5W
通道数量 1
Id-连续漏极电流 1.13A
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 11.4nC
FET类型 2个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 300mΩ@ 10V,9.6A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.295nF@ 15V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NVTR4502PT1G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NVTR4502PT1G数据手册

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