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VBZE80N06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,110A,RDS(ON),4.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.8Vth(V) 封装:TO252 适用于需要中等功率、中等电流的电子系统,如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。
供应商型号: 14M-VBZE80N06 TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZE80N06

VBZE80N06概述


    产品简介


    N-Channel 60V(D-S)175°C MOSFET是一种高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),由VBsemi公司生产。这种MOSFET采用TrenchFET®工艺,具有低热阻封装,适用于广泛的工业和消费电子产品。主要应用领域包括电源管理、电机驱动、LED照明以及其他需要高效率和可靠性的场合。

    技术参数


    - 耐压(VDS):60V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10V时,RDS(on) = 0.006Ω
    - VGS = 4.5V时,RDS(on) = 0.008Ω
    - 连续漏电流(ID):100A
    - 最大脉冲漏电流(IDM):250A
    - 单脉冲雪崩电流(IAS):45A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):101mJ
    - 最大功率耗散(PD):
    - TC = 25°C时,PD = 230W
    - TC = 125°C时,PD = 45W
    - 绝对最大额定温度(TJ, Tstg):-55°C 至 +175°C
    - 热阻率(RthJA, RthJC):
    - PCB安装时,Junction-to-Ambient(RthJA)= 50°C/W
    - Junction-to-Case(RthJC)= 1.1°C/W

    产品特点和优势


    1. 低热阻封装:采用TrenchFET®工艺,热阻低,有助于提高散热效率。
    2. 高可靠性:100%经过UIS测试和Rg测试,确保器件在恶劣环境下的可靠性。
    3. 大电流处理能力:最大连续漏电流可达100A,脉冲漏电流达250A。
    4. 宽工作温度范围:可以在-55°C至+175°C范围内正常工作,适合各种严苛环境。

    应用案例和使用建议


    - 电源管理系统:该MOSFET在开关电源中用于实现高效转换和稳定输出。
    - 电机驱动系统:适用于驱动直流电机或步进电机,提供稳定的控制信号。
    - LED照明系统:在LED驱动电路中,该MOSFET可以提供高效的开关控制。
    使用建议:
    1. 在高电流应用场景中,确保散热良好,避免因过热而损坏。
    2. 设计时应考虑MOSFET的工作环境温度,特别是在高温环境中使用时,需要选择适当的散热措施。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET与大多数标准电源和电机驱动电路兼容,易于集成到现有系统中。
    - 支持:VBsemi提供全面的技术支持,包括详细的用户手册、技术支持热线(400-655-8788)和在线技术支持平台。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何确定最佳栅极电压?
    - A:根据应用场景选择合适的VGS值。通常VGS = 10V时,RDS(on)较低,适合大电流应用;VGS = 4.5V时,RDS(on)稍高但静态功耗小。

    - Q:如何防止过热?
    - A:确保良好的散热设计,如使用散热片或风扇,以及合理布置电路板上的元件以增加散热面积。

    总结和推荐


    综上所述,N-Channel 60V(D-S)175°C MOSFET凭借其高性能、高可靠性以及广泛的应用范围,在众多电力管理和驱动应用中表现出色。其独特的TrenchFET®技术和低热阻封装使其成为高性能应用的理想选择。强烈推荐在需要高效能和可靠性的应用场景中使用这款MOSFET。

VBZE80N06参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.8V
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 110A
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZE80N06厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZE80N06数据手册

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VBZE80N06封装设计

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