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ZVN3306FTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道 60V 0.25A 2.8Ω@10V SOT23-3
供应商型号: 14M-ZVN3306FTA SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZVN3306FTA

ZVN3306FTA概述

    # ZVN3306FTA-VB N-Channel 60-V MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    基本信息
    ZVN3306FTA-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N 沟道 60V(漏极-源极)MOSFET。该器件采用了先进的 TrenchFET® 技术,具备低导通电阻(RDS(on))、低阈值电压和快速开关速度等特性,使其广泛应用于各种逻辑接口、驱动电路和电池供电系统等领域。
    主要功能
    - 低导通电阻(RDS(on)):适用于高效率电源转换和低损耗驱动应用。
    - 低输入电容(Ciss):降低驱动能耗,加快开关速度。
    - 快速开关速度:实现高频率应用。
    应用领域
    - 直接逻辑级接口(TTL/CMOS)
    - 驱动器(继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器等)
    - 电池供电系统
    - 固态继电器

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | : | : | :: | :: | :: | : |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 60 | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | 1 | 2.5 | - | V |
    | 门体漏电流 | IGSS | -10 | - | 10 | µA |
    | 导通门限电压下的漏极电流 | ID(on) | - | - | 500 | mA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 2.8 | 3.1 | Ω |
    | 转导电导 | gfs | - | 100 | - | mS |
    | 二极管正向电压 | VSD | - | 1.3 | - | V |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 0.6 | - | nC |
    | 输入电容 | Ciss | - | 25 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 5 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 2 | - | pF |
    | 开启时间 | td(on) | - | 20 | - | ns |
    | 关闭时间 | td(off) | - | 30 | - | ns |
    绝对最大额定值
    - 漏源电压 | VDS | 60 | V
    - 门源电压 | VGS | ± 20 | V
    - 连续漏极电流 | ID | 250 mA (25°C) / 150 mA (100°C)
    - 脉冲漏极电流 | IDM | 800 mA
    - 功耗 | PD | 0.30 W (25°C) / 0.13 W (100°C)
    - 热阻 | RthJA | 350 °C/W

    3. 产品特点和优势


    特点
    - Halogen-free:符合 IEC 61249-2-21 标准。
    - 低阈值电压:典型值为 2V。
    - 低输入电容:25 pF。
    - 快速开关速度:25ns。
    - 低输入和输出泄漏电流。
    优势
    - 低偏置电压:适合低压操作。
    - 易于驱动,无需缓冲器:简化电路设计。
    - 适用于高速电路:提高系统响应速度。
    - 低误差电压:保证稳定的电气性能。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 直接逻辑级接口:适用于 TTL/CMOS 逻辑电路。
    - 驱动器:例如控制继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器等。
    - 电池供电系统:在便携式设备中提供高效的电源管理。
    - 固态继电器:在高可靠性的开关应用中作为替代品。
    使用建议
    - 在高电流应用中,确保正确选择散热措施以保持器件稳定运行。
    - 注意器件的最大工作温度范围,避免超温损坏。
    - 由于具有低输入电容,可以降低电路的总体功耗并提高效率。
    - 结合其快速开关速度,可用于高频信号处理和功率转换应用。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:ZVN3306FTA-VB 适用于大多数现代电子设备,尤其是需要高效率和低功耗的应用。
    - 支持和服务:VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务。用户可以通过官方客服热线 400-655-8788 获取详细的产品信息和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题
    - 问题 1:如何正确连接 MOSFET 的三个引脚?
    - 解决方法:G 代表门极,D 代表漏极,S 代表源极。按照电路设计要求将引脚正确连接即可。

    - 问题 2:在高温环境下使用时,需要注意哪些事项?
    - 解决方法:确保安装位置具有良好的散热条件,避免超过绝对最大额定值(如最大工作温度)。必要时可增加外部散热片。

    7. 总结和推荐


    综合评估
    ZVN3306FTA-VB MOSFET 在设计上拥有多个优点,包括低阈值电压、快速开关速度、低输入电容等,使其成为逻辑级接口和驱动电路的理想选择。其高可靠性、低功耗和广泛的适用范围使其在许多应用场合中表现出色。
    推荐使用
    对于需要高性能和高效能的电子系统,ZVN3306FTA-VB MOSFET 是一个非常值得推荐的选择。它不仅能够满足当前的应用需求,还能为未来的设计提供更多灵活性和改进空间。

ZVN3306FTA参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
最大功率耗散 300mW
Rds(On)-漏源导通电阻 2.8Ω@ 10V
配置 -
Id-连续漏极电流 250mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 25pF
栅极电荷 0.4nC@ 4.5V
FET类型 1个N沟道
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

ZVN3306FTA厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZVN3306FTA数据手册

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ZVN3306FTA封装设计

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