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VBZ2300

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3 \n 一款单 N 型场效应晶体管,适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。
供应商型号: 14M-VBZ2300 SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZ2300

VBZ2300概述

    N-Channel 20 V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 是一种适用于多种应用场景的高性能电子元器件。它的主要功能是用于直流-直流转换器和便携式设备中的负载开关。由于采用了TrenchFET® Power MOSFET技术,这款MOSFET不仅具有出色的电流承载能力,还具备低导通电阻的特点,使其成为许多电源管理系统的理想选择。

    技术参数


    - 主要电气特性
    - 漏源电压 (VDS):20 V
    - 连续漏极电流 (ID):6 A(@ 25°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):20 A
    - 零栅压漏极电流 (IDSS):1 µA @ 20 V, 0 V
    - 最大功率耗散 (PD):2.1 W @ 25°C
    - 门限电压 (VGS(th)):0.45 V 到 1.0 V
    - 门源电容 (Ciss):865 pF
    - 栅漏电荷 (Qgd):0.7 nC
    - 总栅电荷 (Qg):8.8 nC 至 14 nC
    - 工作环境
    - 存储温度范围:-55°C 至 150°C
    - 最大功率耗散:@ 25°C 为 2.1 W
    - 热阻:最大结到环境热阻为 100 °C/W,最大结到引脚热阻为 60 °C/W

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:典型值为 0.0265 Ω(@ VGS = 4.5 V),使得设备在高电流应用中能够更有效地工作。
    2. 快速响应时间:具有短的导通延迟时间和较低的开关损耗,确保了在高频操作下的效率。
    3. 高可靠性:符合RoHS标准且无卤素,使其能够在各种严苛的应用环境中可靠运行。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:这款N-Channel 20 V MOSFET被广泛应用于笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备中的电池管理单元。此外,在电动汽车充电器和无线充电装置中也有应用。
    - 使用建议:为了实现最佳性能,建议在高负载条件下使用时确保良好的散热条件。同时,可以考虑使用外接热管来降低结点温度,以提高其稳定性和使用寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET采用了标准的SOT-23封装,因此非常容易与现有的电路板设计兼容。
    - 技术支持:制造商提供全面的技术支持和文档资料,帮助客户更好地理解和使用此产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:设备在高负载下过热。
    - 解决方案:确保设备具有足够的散热空间,并可以考虑增加外部冷却系统。
    - 问题2:切换频率不匹配导致效率低下。
    - 解决方案:调整栅极电阻 (Rg),以匹配所需的开关频率。

    总结和推荐


    这款N-Channel 20 V MOSFET凭借其低导通电阻、快速响应时间和高可靠性,在电源管理系统中表现出色。它适用于多种便携式和工业应用,并且具有广泛的兼容性。强烈推荐给需要高性能、高可靠性的电子设备设计师和技术工程师使用。

VBZ2300参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 450mV~1V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 6A
Vgs-栅源极电压 8V
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V
配置 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZ2300厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZ2300数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZ2300 VBZ2300数据手册

VBZ2300封装设计

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