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VBZM75N80

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
供应商型号: 14M-VBZM75N80 TO-220AB
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZM75N80

VBZM75N80概述


    产品简介


    N-Channel 80V MOSFET
    N-Channel 80V MOSFET(VBZM75N80)是一款采用TrenchFET®工艺制造的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),适用于多种电力电子应用。该产品主要用作初级侧开关、同步整流、直流交流逆变器及LED背光等领域。其最大耐压值为80V,最大连续漏极电流可达28.6A(TA=25°C)。这款MOSFET具有出色的热稳定性和可靠性,特别适合高要求的应用场景。

    技术参数


    - 额定电压(VDS): 80V
    - 栅源电压(VGS): ±20V
    - 连续漏极电流(TA=25°C): 28.6A
    - 脉冲漏极电流(t=100 μs): 350A
    - 最大功耗(TC=25°C): 180W
    - 反向恢复时间(trr): 38至75ns
    - 总门电荷(Qg): 35.5nC(VDS=40V,VGS=10V)
    - 门源电荷(Qgs): 5.3nC
    - 门漏电荷(Qgd): 7.3nC
    - 输出电荷(Qoss): 57至86pC(VDS=40V,VGS=0V)
    - 正向转移导纳(gfs): 60S
    - 输入电容(Ciss): 3855pF
    - 输出电容(Coss): 1120pF
    - 反向转移电容(Crss): 376pF
    - 门电阻(Rg): 0.5至1.3Ω

    产品特点和优势


    1. 高可靠性和耐用性:通过100% Rg和UIS测试,确保产品在极端条件下的稳定运行。
    2. 快速开关性能:由于采用了先进的TrenchFET技术,实现了高速开关,降低开关损耗。
    3. 低导通电阻(RDS(on)):在VGS=10V时,RDS(on)仅为7mΩ,显著提高效率。
    4. 宽工作温度范围:能够承受-55°C至150°C的极端温度,适用于严苛的工业环境。
    5. 易于安装和维护:采用TO-220AB封装,方便表面安装。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 电源转换器:VBZM75N80 MOSFET常用于高频开关电源转换器,作为初级侧开关,帮助实现高效的能量转换。
    2. LED照明:在LED背光系统中,该MOSFET可作为高效同步整流器,提升整体能效。
    使用建议:
    1. 散热设计:建议增加散热片或采用更高效的散热方法,以避免过热影响器件寿命。
    2. 驱动电路:合理选择门极电阻(Rg)和驱动电压,确保开关过程中的稳定性。
    3. 负载匹配:根据实际应用场景选择合适的负载电流,以避免过载导致损坏。

    兼容性和支持


    该产品可广泛应用于各种电子设备中,与其他标准电源模块和控制器兼容。厂商提供全面的技术支持,包括详尽的安装指南、常见问题解答和售后保障服务。

    常见问题与解决方案


    1. 如何处理过热问题?
    - 解决方案:确保良好的散热设计,例如增加散热片或使用散热风扇。

    2. 如何确保正确的驱动电压?
    - 解决方案:按照数据手册中的建议,选择合适的门极电阻和驱动电压,确保开关过程中的稳定性和安全性。

    3. 如何检测漏电流?
    - 解决方案:在安装前进行详细的测试,确保所有连接正确无误,避免漏电流导致的意外损坏。

    总结和推荐


    总体评价:VBZM75N80 MOSFET凭借其高性能的TrenchFET技术、优异的热稳定性和耐用性,在多种电力电子应用中表现出色。尤其适用于高效率要求的场合,如开关电源和LED背光系统。
    推荐理由:基于其出色的性能参数、广泛的适用性和优秀的稳定性,强烈推荐该产品用于需要高效、可靠工作的电力电子系统中。

VBZM75N80参数

参数
Id-连续漏极电流 100A
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 80V
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.7V
FET类型 1个N沟道
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZM75N80厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZM75N80数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZM75N80 VBZM75N80数据手册

VBZM75N80封装设计

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