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UT3N06G-AE3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道 60V 4A 85mΩ@10V SOT23-3
供应商型号: 14M-UT3N06G-AE3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT3N06G-AE3

UT3N06G-AE3概述

    UT3N06G-AE3-VB N-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    UT3N06G-AE3-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道60V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这种器件主要应用于电池开关和DC/DC转换器等领域。其独特的设计使其在各种应用场景中表现出色。

    技术参数


    - 基本特性:
    - 卤素自由材料:符合IEC 61249-2-21标准。
    - TrenchFET® Power MOSFET。
    - 100% Rg测试和100% UIS测试。
    - 电气特性:
    - 最大漏源电压(VDS):60V。
    - 最大栅源电压(VGS):±20V。
    - 漏极连续电流(ID):3.4A(TA = 70°C)。
    - 静态参数:
    - 开启状态漏源电阻(RDS(on)):在VGS = 10V时为0.075Ω,在VGS = 4.5V时为0.086Ω。
    - 输入电容(Ciss):18pF(VDS = 30V,VGS = 0V,f = 1MHz)。
    - 输出电容(Coss):2pF(VDS = 30V,VGS = 0V,f = 1MHz)。
    - 逆向传输电容(Crss):13pF(VDS = 30V,VGS = 10V,ID = 4A)。
    - 动态参数:
    - 总栅电荷(Qg):2.1nC(VDS = 30V,VGS = 4.5V,ID = 1.9A)。
    - 关断延迟时间(td(off)):10ns(VDD = 30V,RL = 20Ω,ID ≈ 1.5A,VGEN = 10V,RG = 1Ω)。
    - 电容(Coss):2pF(VDS = 30V,VGS = 0V,f = 1MHz)。
    - 绝对最大额定值:
    - 绝对最大漏源电压(VDS):60V。
    - 绝对最大功率耗散(PD):1.66W(TA = 25°C),1.06W(TA = 70°C)。

    产品特点和优势


    UT3N06G-AE3-VB 具有以下优势:
    - 高效能:低导通电阻和高击穿电压,使器件在多种条件下都能保持高性能。
    - 可靠性:100% Rg测试和100% UIS测试确保产品的可靠性和稳定性。
    - 环保设计:符合RoHS和无卤素标准,满足环保要求。

    应用案例和使用建议


    - 电池开关:适合用于需要快速切换的电池管理系统,能够有效降低系统功耗。
    - DC/DC转换器:在电源管理中提供高效的电压转换,减少能量损失。
    建议在使用时考虑散热措施,特别是在高负载条件下。如果需要更高的电流处理能力,可以考虑并联多个器件。

    兼容性和支持


    UT3N06G-AE3-VB 支持表面安装,并且与常见的FR4板兼容。VBsemi公司提供了全面的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利使用该器件。

    常见问题与解决方案


    1. 问:工作温度范围是多少?
    - 答:-55°C 至 150°C。
    2. 问:如何避免过热?
    - 答:确保良好的散热措施,如增加散热片或使用风扇进行主动冷却。
    3. 问:长时间运行时,如何控制电流?
    - 答:参考典型曲线图中的电流降额图,合理设置工作条件以避免过载。

    总结和推荐


    UT3N06G-AE3-VB 是一款高效、可靠的N沟道MOSFET,适用于电池开关和DC/DC转换器等多种应用场景。其优异的性能和广泛的应用前景使其成为市场上极具竞争力的产品。强烈推荐给需要高性能MOSFET的用户。
    如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系VBsemi的服务热线:400-655-8788。

UT3N06G-AE3参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 85mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 4A
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT3N06G-AE3厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT3N06G-AE3数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT3N06G-AE3 UT3N06G-AE3数据手册

UT3N06G-AE3封装设计

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