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IRF7455TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V);SOP8
供应商型号: 14M-IRF7455TRPBF SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF7455TRPBF

IRF7455TRPBF概述

    电子元器件产品手册解析:IRF7455TRPBF-VB

    1. 产品简介


    产品类型:N-Channel 30-V MOSFET
    主要功能:高侧同步整流器操作优化
    应用领域:笔记本电脑CPU核心,高侧开关

    2. 技术参数


    - 额定电压(VDS):30V
    - 最大连续漏电流(ID):1A
    - 脉冲漏电流(IDM):45A
    - 功率耗散(PD):4.0W (Ta=25℃), 2.2W (Ta=70℃)
    - 绝对最大工作温度范围(TJ):-55°C 至 +150°C
    - 热阻(RthJA):39°C/W (Ta=25°C)

    3. 产品特点和优势


    - 环保特性:无卤素,符合RoHS标准
    - 工艺特性:采用TrenchFET®工艺,提升性能和可靠性
    - 设计优化:专门优化用于高侧同步整流器操作
    - 测试保证:100% RG测试和UIS测试

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:笔记本电脑CPU核心的高侧开关
    使用建议:
    - 确保在-55°C至+150°C的工作温度范围内使用
    - 避免超过最大额定电压和电流以确保长期稳定性
    - 为避免热失控,考虑适当的散热措施

    5. 兼容性和支持


    - 封装:SO-8
    - 与PCB的兼容性:表面安装于1" x 1" FR4板上
    - 支持和服务:请联系官方客服热线400-655-8788获取更多技术支持

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:漏电流过大导致系统过热?
    - A:检查电路连接是否正确,增加散热措施,确保工作温度不超过规定范围
    - Q:门极电阻选择不当导致开启速度慢?
    - A:根据手册中的门极电阻值选择合适的门极电阻

    7. 总结和推荐


    综合评估:IRF7455TRPBF-VB是一款高性能、环保的N-Channel 30-V MOSFET,具有优良的热管理特性和高可靠性,适合笔记本电脑等消费电子设备的核心电源管理和开关控制。其独特的优势使其成为高要求应用的理想选择。
    推荐:鉴于其出色的性能和广泛应用领域,强烈推荐在涉及高侧同步整流的应用中使用此款MOSFET。

IRF7455TRPBF参数

参数
Id-连续漏极电流 12A
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 800pF
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 800mV~2.5V
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 10V,15mΩ@ 4.5V
FET类型 1个N沟道
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

IRF7455TRPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF7455TRPBF数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF7455TRPBF IRF7455TRPBF数据手册

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