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2SK1591-T1B-A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,0.17A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.28Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-2SK1591-T1B-A SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK1591-T1B-A

2SK1591-T1B-A概述

    N-Channel 100-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    这款N-Channel 100-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高性能的电子元器件,适用于各种电力控制应用。它具有低阈值电压、低输入电容和快速开关速度等特点,使得它在需要高效能和高可靠性的电路设计中表现优异。主要应用于电源转换、电机驱动、照明控制和汽车电子等领域。

    技术参数


    以下是该N-Channel MOSFET的主要技术参数:
    - 额定电压 (VDS):100V
    - 最大连续漏极电流 (ID):260mA(在TA=25°C时)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):800mA(在TA=25°C时)
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):2.8Ω(在VGS=10V时,ID=260mA)
    - 输入电容 (Ciss):30pF(在VDS=25V,VGS=0V时)
    - 输出电容 (Coss):7pF
    - 反向传输电容 (Crss):2.0pF
    - 阈值电压 (VGS(th)):1V 至 2.5V(在VDS=0V时)

    产品特点和优势


    该N-Channel MOSFET具备以下几个显著特点:
    - 低阈值电压 (VGS(th)):使得驱动更容易,耗电量更低。
    - 低输入电容 (Ciss):减少开关损耗,提高效率。
    - 快速开关速度:有助于提高整体系统的响应速度。
    - 低输入和输出泄漏电流:保证在无驱动信号情况下器件仍保持良好的隔离状态。
    - TrenchFET® 功率MOSFET技术:提供更高的功率密度和更优的散热性能。

    应用案例和使用建议


    - 电源转换器:利用其快速开关特性,可以减少能量损耗,提高转换效率。
    - 电机驱动:由于其高可靠性,适合在工业环境中驱动各种类型的电机。
    - 照明控制系统:可以在高频环境下稳定工作,减少闪烁现象。
    使用建议:
    - 确保电路中的电容匹配其输入电容规格,以优化电路性能。
    - 考虑散热设计,特别是高功率应用中,避免过热损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于标准的SOT-23封装,能够方便地安装于FR4板上。
    - 支持和维护:厂商提供全面的技术支持和售后保障,确保客户在使用过程中获得最佳体验。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何正确选择合适的栅极驱动电压?
    - A: 根据应用需求选择合适的VGS,一般为4.5V到10V之间,确保在最大负载下器件正常工作。
    - Q:如何处理过热问题?
    - A: 在设计电路时加入适当的散热措施,如增加散热片或者优化散热路径。如果发现温度过高,及时调整工作频率或降低负载。

    总结和推荐


    总体而言,这款N-Channel 100-V MOSFET凭借其低功耗、高速度和高可靠性等特点,在多种应用场景中表现出色。特别是在高效率要求的电路设计中,其独特的技术优势使其成为理想的选择。强烈推荐此产品用于需要高性能电力控制的应用场合。
    联系方式:如需了解更多详情或技术支持,请拨打服务热线:400-655-8788 或访问官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)。

2SK1591-T1B-A参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK1591-T1B-A厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK1591-T1B-A数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK1591-T1B-A 2SK1591-T1B-A数据手册

2SK1591-T1B-A封装设计

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