处理中...

首页  >  产品百科  >  VBZM4N20

VBZM4N20

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,5A,RDS(ON),910mΩ@10V,1020mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO-220AB
供应商型号: 14M-VBZM4N20
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZM4N20

VBZM4N20概述


    产品简介


    VBZM4N20 N-Channel MOSFET 是一种高效能的电力金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),采用 TrenchFET® 技术制造。它专为高压直流转换、电源管理及各种开关应用而设计。该器件能够在广泛的温度范围内正常工作,具有高可靠性及优良的热稳定性,适用于各种工业和消费电子产品。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 200 V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 在 VGS = 10 V 时为 0.91 Ω
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大值为 13 nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs): 3.0 nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): 7.9 nC
    - 最大连续漏电流 (ID): 在 TC = 25 °C 时为 5.0 A,在 TC = 100 °C 时为 4.0 A
    - 重复脉冲雪崩电流 (IAR): 4.8 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 161 mJ
    - 最大功耗 (PD): 42 W (TC = 25 °C),在 PCB 安装时为 2.5 W (TA = 25 °C)
    - 正向二极管恢复时间 (trr): 150-300 ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr): 0.91-1.8 μC

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 技术:保证低导通电阻和快速开关速度。
    2. 高耐温性:最高工作温度可达 175 °C,适合严苛环境下的应用。
    3. PWM 优化:特别适合于脉宽调制应用,如电机控制和逆变器设计。
    4. 100% Rg 测试:确保产品的一致性和可靠性。
    5. 符合 RoHS 标准:环保无铅,安全可靠。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    VBZM4N20 主要用于电源管理、驱动电路和开关模式电源转换。例如,在电机控制应用中,可以用于调节电机的速度和方向;在太阳能逆变器中,作为功率开关以实现高效的能量转换。
    使用建议
    - 确保 PCB 设计时考虑散热,采用大面积接地平面以降低热阻。
    - 使用适当的门极电阻 (Rg) 以防止门极振荡,避免器件损坏。
    - 注意不要超过器件的最大电压和电流限制,特别是当脉冲宽度受限于最大结温时。

    兼容性和支持


    VBZM4N20 与其他标准 TO-220AB 封装的器件兼容,且与大多数标准 PCB 材料(如 FR-4 或 G-10)相匹配。制造商提供了详尽的技术支持,包括技术文档、设计指南和应用笔记。用户可以通过服务热线 400-655-8788 获得技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何确定器件的额定电流?
    - A: 查看技术手册中的输出特性图 (Fig. 1 和 Fig. 2),在所需的环境温度下查找相应的最大电流值。
    2. Q: 门极电压设置不当导致的过热如何处理?
    - A: 确保门极电压在规定范围内,并且门极电阻值适当,以避免门极振荡。
    3. Q: 反向恢复过程中出现的问题如何解决?
    - A: 使用低阻抗门极驱动以减少反向恢复时间,确保门极电阻 (Rg) 设置正确,减少寄生电感的影响。

    总结和推荐


    VBZM4N20 N-Channel MOSFET 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具备优异的热稳定性和可靠性。它的设计适用于广泛的应用场景,特别是在需要高压、高电流和高温工作条件的应用中表现出色。通过本文档中的详细信息,我们可以看到该产品在多种场合中的强大表现力和实用性。综上所述,强烈推荐使用 VBZM4N20 MOSFET 以满足您对高性能电力管理的需求。

VBZM4N20参数

参数
Id-连续漏极电流 5A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 910mΩ@10V,1020mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZM4N20厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZM4N20数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZM4N20 VBZM4N20数据手册

VBZM4N20封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.1918
库存: 100
起订量: 5 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 5.95
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504