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VBK362K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,0.35A,RDS(ON),2000mΩ@10V,2400mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.6~2Vth(V) 封装:SC70-6
供应商型号: 14M-VBK362K SC70-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBK362K

VBK362K概述


    产品简介


    VBK362K 双N沟道60V MOSFET 是一种高性能的半导体功率开关器件,适用于广泛的逻辑电平接口及驱动应用。其独特的结构和卓越的电气特性使其在多种工业和消费电子产品中大放异彩。本产品主要用于直流到直流转换器、开关电源、电机控制和各种电源管理模块。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | VDS | 60 | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | 1 ~ 2.5 | V |
    | 漏极电流(连续) | ID | 300 | mA |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 800 | mA |
    | 功率耗散 | PD | 0.35 | W |
    | 热阻(结到环境) | RthJA | 350 | °C/W |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 ~ 150 | °C |
    | 开启时间 | td(on) | 25 | ns |
    | 关闭时间 | td(off) | 35 | ns |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻(RDS(on)):仅为2.5 Ω (VGS=10V),大大降低了能耗和发热量。
    2. 低门限电压:仅需2V即可开启,使得设备易于驱动。
    3. 快速切换速度:开启和关闭时间分别为25ns和35ns,适合高速电路设计。
    4. 低输入和输出泄漏电流:减少了不必要的能量损耗。
    5. 符合RoHS指令:无铅无卤素材料,环保安全。
    6. 坚固耐用:绝对最大额定值严格控制,有效延长产品使用寿命。

    应用案例和使用建议


    - 直接逻辑电平接口:如TTL/CMOS,可以实现高效的电平转换。
    - 驱动器:用于驱动继电器、电磁铁、灯泡、锤子、显示屏、存储器、晶体管等。
    - 电池供电系统:低功耗特性使其在电池供电系统中广泛应用。
    - 固态继电器:结合其他组件,可用于替代传统机械继电器。
    使用建议:
    - 散热设计:确保良好的热设计,避免过高的温度导致器件损坏。
    - 选择合适的驱动电阻:对于高速切换的应用,需选择合适的栅极驱动电阻以保证稳定运行。

    兼容性和支持


    - 封装:SOT-363/SC-70,适合表面贴装。
    - 兼容性:可广泛应用于不同品牌和型号的微控制器和传感器。
    - 厂商支持:提供详细的技术文档和支持服务,确保用户能够顺利使用和维护产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:开启和关闭时间不稳定。
    - 解决方案:检查驱动电路是否合适,必要时增加栅极驱动电阻。
    2. 问题:导通电阻异常高。
    - 解决方案:检查工作温度是否过高,适当降低工作温度或增加散热措施。
    3. 问题:发热严重。
    - 解决方案:确保良好的散热设计,如使用散热片或散热膏。

    总结和推荐


    VBK362K 双N沟道60V MOSFET 是一款集高性能、低功耗于一体的理想选择,特别适用于需要高可靠性的场合。其低导通电阻、快速开关特性和良好的兼容性使其成为电子设计工程师的理想选择。强烈推荐使用该产品,尤其是在需要高效、可靠和快速响应的电路中。
    服务热线:400-655-8788,如有任何疑问或需求,请随时联系我们。

VBK362K参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 2000mΩ@10V,2400mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 350mA
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
通道数量 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 600mV~2V
栅极电荷 -
通用封装 SC-70-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBK362K厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBK362K数据手册

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VBK362K封装设计

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