处理中...

首页  >  产品百科  >  VBFB1101M

VBFB1101M

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,15A,RDS(ON),115mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.41Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: 14M-VBFB1101M TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBFB1101M

VBFB1101M概述

    VBFB1101M MOSFET 技术手册

    产品简介


    VBFB1101M 是一款高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有100V的漏源电压(VDS)。它主要用于初级侧开关应用,能够承受高达175°C的结温,非常适合高温环境下的应用。VBFB1101M采用了DT-Trench工艺制造,提供了高可靠性和卓越的电气性能。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS):100V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏电流(TJ = 175°C):15A (TC = 25°C), 8.7A (TC = 125°C)
    - 脉冲漏电流(IMD):45A
    - 最大功率耗散(TC = 25°C):61W (TC = 25°C), 2.7W (TA = 25°C)
    - 最大存储温度范围(TJ, Tstg):-55°C 到 175°C
    - 热阻(RthJA):稳态 45°C/W 至 55°C/W
    - 转导电容(Ciss):892pF (VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1MHz)
    - 反向传输电容(Crss):70pF

    产品特点和优势


    VBFB1101M 的主要优势包括:
    - 高温稳定性:能够在175°C的极端环境下正常工作,保证了在恶劣环境中的可靠运行。
    - 高电流承载能力:连续漏电流可达15A,脉冲漏电流可达45A,适用于需要高电流的应用场景。
    - 快速开关性能:低栅电荷(Qg)和低栅电阻(Rg)使得开关速度快,有助于提高效率。
    - 高可靠性:100% Rg测试确保了产品质量的一致性和高可靠性。

    应用案例和使用建议


    VBFB1101M 主要应用于开关电源和逆变器等需要高效率转换的应用中。例如,在开关电源中作为初级侧开关,利用其出色的高温稳定性和高电流承载能力来提升整体系统性能。此外,由于其低栅电荷和低栅电阻,它也非常适合高频开关应用。
    使用建议:
    - 散热管理:考虑到其高功耗特性,确保适当的散热措施以避免过热。
    - 驱动电路设计:由于其快速开关特性,选择合适的驱动电路以优化开关过程,减少损耗。
    - 温度监控:在高负载情况下监测结温,防止过热导致损坏。

    兼容性和支持


    VBFB1101M 可以轻松集成到现有的电路板设计中,尤其是表面贴装方式(SMT)。VBsemi提供详尽的技术文档和支持,包括设计指南、测试报告和常见问题解答。客户可以联系技术支持团队获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 如何确定是否正确连接VBFB1101M?
    - 解决办法: 使用万用表检查引脚连接,确保漏极(D)、源极(S)和栅极(G)正确连接。

    - 问题: 在使用过程中发现温度过高怎么办?
    - 解决办法: 检查散热片是否正确安装,并增加散热器面积或使用外部风扇进行强制冷却。

    - 问题: 需要多少栅极电阻来驱动VBFB1101M?
    - 解决办法: 一般推荐值为2.5Ω,具体可以根据实际情况调整,确保驱动电路稳定。

    总结和推荐


    总体而言,VBFB1101M是一款高性能的N沟道MOSFET,具有卓越的高温稳定性和强大的电流承载能力,非常适合作为开关电源中的初级侧开关。它的快速开关性能和高可靠性使其成为众多工业和商业应用的理想选择。对于需要高效且稳定工作的应用场景,强烈推荐使用VBFB1101M。

VBFB1101M参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.41V
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 15A
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@10V,120mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBFB1101M厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBFB1101M数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBFB1101M VBFB1101M数据手册

VBFB1101M封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.9537
库存: 1000
起订量: 5 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 4.76
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336