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IRFH5006TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,100A,RDS(ON),3mΩ@10V,3.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
供应商型号: 14M-IRFH5006TRPBF QFN8(5X6)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFH5006TRPBF

IRFH5006TRPBF概述

    电子元器件产品技术手册 —— IRFH5006TRPBF-VB

    产品简介


    IRFH5006TRPBF-VB 是一款适用于工业及电力系统应用的N沟道60V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品采用了先进的TrenchFET®技术,能够在高达175°C的结温条件下稳定运行。凭借其高耐压能力和低导通电阻,IRFH5006TRPBF-VB 成为了各种严苛环境下理想的选择。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 突发漏极电流(10秒内)| 85 | 100 | - | A |
    | 持续源电流 | 80 | - | - | A |
    | 额定功率耗散(Tj = 25°C)| 136 | - | - | W |
    | 结点至外壳热阻 | - | 0.85 | 1.1 | °C/W |
    | 闸极-源极漏电 | - | ± 100 | - | nA |

    产品特点和优势


    IRFH5006TRPBF-VB具有多种独特的优势,使其在众多应用中表现出色:
    1. 高耐压能力:60V的击穿电压保证了在高压环境下的可靠性。
    2. 高热稳定性:能够在高达175°C的温度下正常工作,适用于高温应用场合。
    3. 低导通电阻:最小为0.005Ω时,可降低功耗并提高效率。
    4. 快速开关特性:短时间内的开关响应非常迅速,适合高频应用。
    5. 先进TrenchFET®技术:提供更高的电流密度和更好的散热性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例:此款MOSFET广泛应用于电机驱动、电源转换、工业控制等领域。特别适用于需要高温和高可靠性保障的应用,如汽车电子、光伏逆变器、直流无刷电机控制板等。
    使用建议:
    - 确保在高温环境中安装,并保持良好的散热条件。
    - 选择合适的驱动电路,确保电压和电流处于安全范围内。
    - 注意保护电路设计,避免过流和过压情况的发生。

    兼容性和支持


    IRFH5006TRPBF-VB 支持表面贴装工艺,并且与其他标准引脚兼容的MOSFET具有良好的互换性。台湾VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,包括但不限于产品文档、样品测试、技术支持热线等。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开机后设备不工作 | 检查电源电压是否正常,确认MOSFET未损坏 |
    | 过载保护功能失效 | 调整电路保护设定值,检查外围电路是否正确连接 |
    | 设备发热严重 | 确认散热措施是否到位,检查是否有过高的电流通过 |

    总结和推荐


    IRFH5006TRPBF-VB 在高温稳定性和低导通电阻方面表现优异,适用于需要严格电气特性的应用场景。尽管价格相对较高,但由于其出色的性能和可靠性,强烈推荐用于关键的电力电子系统设计中。台湾VBsemi提供的全方位支持也使这款产品更具竞争力。
    以上内容详细介绍了IRFH5006TRPBF-VB这款MOSFET的各项技术参数和应用指南,希望对您有所帮助。如果您有任何疑问或需要进一步的信息,请随时联系我们的客户服务热线:400-655-8788。

IRFH5006TRPBF参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 0.013Ω@VGS = 4.5 V,ID = 15 A(typ)
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 100A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.65nF
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

IRFH5006TRPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFH5006TRPBF数据手册

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