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NCE603S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+P—Channel沟道,±60V,6.5/-5A,RDS(ON),28/51mΩ@10V,34/60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.9Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: 14M-NCE603S SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE603S

NCE603S概述

    NCE603S-VB MOSFET 技术手册

    产品简介


    NCE603S-VB 是一款采用沟槽技术的 N 沟道和 P 沟道 MOSFET,具有 60V 的最大漏源电压(D-S)。这款产品广泛应用于 CCFL(冷阴极荧光灯)逆变器等领域。它具有优异的电气特性和可靠性,适用于多种电力控制和转换应用。

    技术参数


    以下是 NCE603S-VB 的关键技术参数:
    - 漏源电压 (VDS): 60V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - N 沟道: 0.026Ω @ VGS = 10V, 0.029Ω @ VGS = 4.5V
    - P 沟道: 0.055Ω @ VGS = -10V, 0.060Ω @ VGS = -4.5V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - N 沟道: 5.3A @ TC = 25°C
    - P 沟道: -4.9A @ TC = 25°C
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - N 沟道: 6nC @ VGS = 10V, 4.7nC @ VGS = 4.5V
    - P 沟道: 8nC @ VGS = -10V, 8.5nC @ VGS = -4.5V
    - 最高工作温度: 150°C
    - 绝对最大额定值:
    - 最大栅极-源极电压 (VGS): ±20V
    - 最大功率耗散 (PD): 3.1W @ TC = 25°C, 2W @ TC = 70°C
    - 热阻 (RthJA): 55°C/W (N 沟道), 53°C/W (P 沟道)

    产品特点和优势


    - 环保材料: 采用无卤素材料制造,符合 IEC 61249-2-21 标准。
    - 高可靠性和稳定性: 100% 经过 Rg 和 UIS 测试。
    - 低导通电阻: 在各种栅极电压下均表现出较低的导通电阻,从而提高能效。
    - 高工作温度范围: 可在 -55°C 到 150°C 的宽温度范围内稳定工作。

    应用案例和使用建议


    NCE603S-VB 广泛应用于 CCFL 逆变器和其他需要高效电力控制的应用。建议在以下场景中使用:
    - 逆变器设计: 适用于要求高效能、高可靠性的逆变器系统。
    - 电力转换电路: 适用于需高效电力转换的应用场合。
    使用时应注意以下几点:
    - 散热管理: 尽管有较高的热阻抗,但使用适当的散热措施仍能有效延长使用寿命。
    - 电压限制: 遵守最大漏源电压和栅极-源极电压限制,避免损坏器件。

    兼容性和支持


    NCE603S-VB 支持表面贴装技术(SMT),并提供标准的 SO-8 封装。制造商提供了全面的技术支持和服务热线(400-655-8788),以便用户在遇到任何问题时可以快速获得帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 高温环境下性能不稳定。
    - 解决方案: 使用散热片或散热器进行散热,确保器件工作温度不超过最大额定值。
    - 问题: 栅极-源极电压超过额定值。
    - 解决方案: 检查电路设计,确保电压不会超出规定范围,必要时添加保护电路。

    总结和推荐


    NCE603S-VB 是一款高性能的 N 沟道和 P 沟道 MOSFET,适用于多种电力转换和控制应用。其优良的电气特性和广泛的工作温度范围使其成为工业应用的理想选择。鉴于其优异的性能和可靠的生产测试,强烈推荐使用 NCE603S-VB 进行相关项目的开发。

NCE603S参数

参数
Id-连续漏极电流 5.3A,4.9A
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 28mΩ@ 10V,50mΩ@ 10V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 N+P沟道
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NCE603S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE603S数据手册

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