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NCE3010S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道 20V 12A 12mΩ@10V SOP-8
供应商型号: 14M-NCE3010S SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE3010S

NCE3010S概述

    NCE3010S N-Channel 30-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NCE3010S 是一款采用TrenchFET®技术的N沟道30V(D-S)功率MOSFET。其主要用于高边同步整流操作,适用于笔记本电脑CPU核心等领域的高边开关应用。该产品无卤素设计,确保环保,且所有产品经过100%测试,包括栅极电阻测试和雪崩耐受能力测试。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏源击穿电压:30V(@VGS=0V)
    - 最大漏源电压:30V
    - 电流参数
    - 连续漏极电流:13A(@TC=25°C),7A(@TA=70°C)
    - 脉冲漏极电流:45A
    - 连续源极二极管电流:3.7A(@TC=25°C)
    - 电阻参数
    - 漏源导通电阻:0.008Ω(@VGS=10V,ID=10A),0.011Ω(@VGS=4.5V,ID=9A)
    - 热阻参数
    - 最大结至环境热阻:39°C/W(短脉冲≤10秒),55°C/W(稳态)

    产品特点和优势


    - 高效节能:由于采用了TrenchFET技术,NCE3010S具有非常低的导通电阻,有助于提高系统效率。
    - 高可靠性:100% Rg和UIS测试保证了产品的可靠性。
    - 环境友好:无卤素设计使其符合绿色环保标准。
    - 广泛应用:特别适合于笔记本电脑CPU核心的高边开关应用。

    应用案例和使用建议


    - 笔记本电脑CPU核心的高边开关:NCE3010S非常适合于笔记本电脑中的高边开关,可以有效提高系统的能效和可靠性。
    - 使用建议:
    - 在高边开关应用中,应确保合适的散热条件以避免过热。
    - 在使用过程中,需要关注温度和电流的变化,避免超过最大额定值。


    兼容性和支持


    - 兼容性:NCE3010S采用SO-8封装,与大多数标准电路板兼容。
    - 支持:制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助用户解决各种使用中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:设备过热
    - 解决方案:增加散热措施,如安装散热片或风扇。
    - 问题2:漏极电流超出额定值
    - 解决方案:检查电路设计,避免过载,适当降低负载。

    总结和推荐


    NCE3010S作为一款高性能的N沟道30V MOSFET,在笔记本电脑CPU核心的高边开关应用中表现出色。其低导通电阻和无卤素设计使其成为绿色高效的选择。综合考虑其特点和优势,推荐在相关应用场景中使用NCE3010S,特别是对于注重能效和可靠性的系统。

NCE3010S参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 4.1W
Vds-漏源极击穿电压 20V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
栅极电荷 25nC
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 12A
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装

NCE3010S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE3010S数据手册

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NCE3010S封装设计

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