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NCE3415

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-5.6A,RDS(ON),47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: NCE3415 SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE3415

NCE3415概述

    NCE3415-VB 产品技术手册

    产品简介


    NCE3415-VB 是一款P沟道30V(D-S)功率MOSFET器件,采用先进的TrenchFET®技术。这种器件适用于移动计算领域,如负载开关、笔记本适配器开关及DC/DC转换器。NCE3415-VB 具备出色的热阻性能,能够承受高电流和高电压,是电源管理应用的理想选择。

    技术参数


    - 最大栅源电压 (VGS): ±20V
    - 最大漏源电压 (VDS): 30V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C):
    - TA = 25°C: -5.6A
    - TA = 70°C: -5A
    - 脉冲漏极电流 (t = 100 µs): -18A
    - 最大功率耗散 (TA = 25°C): 2.5W
    - 最大结温 (TJ): -55°C 至 150°C
    - 热阻 (RthJA): 75°C/W (典型值),100°C/W (最大值)
    - 正向传输电导 (gfs): 18S (VDS = -15V, ID = -3.4A)
    - 输入电容 (Ciss): 12pF (VDS = -15V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 输出电容 (Coss): 150pF
    - 反向转移电容 (Crss): 130pF (VDS = -15V, VGS = -10V, ID = -5.4A)
    - 总栅电荷 (Qg): 24nC (VDS = -15V, VGS = -5.4V, ID = -5.4A)

    产品特点和优势


    NCE3415-VB 的核心特点是其高可靠性、低栅极电荷和出色的热性能。以下是其主要优势:
    - 高功率密度:得益于先进的TrenchFET®技术,NCE3415-VB 能够在有限的空间内提供更高的电流承载能力。
    - 低导通电阻 (RDS(on)):在不同栅源电压下具有优异的导通电阻,例如在 VGS = -10V 时,RDS(on) 可达到 0.046Ω。
    - 快速开关时间:具备较快的开关特性,有助于减少开关损耗并提高系统效率。
    - 严格的生产测试:所有产品均通过 100% Rg 测试,确保性能稳定可靠。

    应用案例和使用建议


    NCE3415-VB 主要应用于以下几个领域:
    - 负载开关:可用于电池供电设备中的负载控制。
    - 笔记本适配器开关:为适配器提供高效稳定的电源转换。
    - DC/DC转换器:用于高效的电源管理。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑到 NCE3415-VB 的热性能,需要适当添加散热措施,以避免因过热而导致的失效。
    - 配合其他元器件时,注意保证足够的驱动能力和合理的布局设计,以实现最佳性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NCE3415-VB 支持标准SOT-23封装,可轻松集成到现有设计中。
    - 支持:制造商提供了详细的技术文档和支持服务,包括样品申请、技术支持和定制需求咨询。客户可以通过400-655-8788联系服务热线获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关速度慢?
    - 解决方案: 检查驱动电路是否符合要求,增加适当的栅极电阻以加速开关速度。
    - 问题2: 热管理不当导致过热?
    - 解决方案: 使用散热片或其他散热装置,改善热管理系统。
    - 问题3: 导通电阻异常高?
    - 解决方案: 确认驱动电压是否正确且足够,检查是否受到外部干扰影响。

    总结和推荐


    综上所述,NCE3415-VB 是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET器件,适用于多种电源管理和负载控制的应用场合。其出色的热性能和低导通电阻使其成为市场上的有力竞争者。推荐在设计中考虑使用NCE3415-VB,尤其是在对体积和效率有较高要求的应用中。

NCE3415参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
最大功率耗散 1.4W
FET类型 2个P沟道
栅极电荷 11.4nC
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.295nF
通道数量 -
Id-连续漏极电流 4A
Rds(On)-漏源导通电阻 45mΩ
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 900mV
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NCE3415厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE3415数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE3415 NCE3415数据手册

NCE3415封装设计

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