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VBM1151N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,150V,100A,RDS(ON),9.8mΩ@10V,11.76mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO-220AB
供应商型号: 14M-VBM1151N TO220IR
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBM1151N

VBM1151N概述

    VBM1151N N-Channel 150V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    VBM1151N 是一款由台湾 VBsemi 公司生产的 N 沟道 150V(D-S)功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。作为ThunderFET®系列的一部分,该器件具备低导通电阻、高耐压和卓越的工作温度范围,适用于多种电子系统设计,如不间断电源(UPS)、AC/DC 开关模式电源供应器、同步整流、直流-直流转换器、电机驱动开关、直流-交流逆变器、微型太阳能逆变器以及 Class D 音频放大器等应用场合。

    技术参数


    - 最大电压 (VDS):150V
    - 最大连续漏极电流 (ID):100A(TC=25°C),70A(TC=125°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):320A(脉冲宽度≤100μs)
    - 单次雪崩能量 (EAS):180mJ
    - 最大功耗 (PD):375W(TC=25°C),125W(TC=125°C)
    - 最高工作结温 (TJ):175°C
    - 热阻 (RthJA):40°C/W(电路板安装)
    - 导通电阻 (RDS(on)):在 VGS = 10V 和 ID = 30A 下为 0.0085Ω;在 VGS = 7.5V 下为 0.0095Ω

    产品特点和优势


    - ThunderFET®技术:确保了优秀的热性能和可靠性。
    - 宽广的工作温度范围:能够在极端环境下稳定运行。
    - 高性能特性:具备较低的导通电阻(RDS(on)),保证了更高的效率。
    - 100% 测试覆盖率:通过 Rg 和 UIS 测试,保证了产品的可靠性和一致性。
    - 适用于各种高压应用:能够满足不同行业对高电压 MOSFET 的需求。

    应用案例和使用建议


    VBM1151N 主要应用于电力供应系统中,例如不间断电源(UPS)、AC/DC 开关电源、LED 照明等。在选择该器件时,需要特别注意以下几点:
    - 在启动或关闭过程中应确保漏源电压 (VDS) 不超过 150V。
    - 高温条件下建议适当降低工作电流以防止热失控。
    - 当应用于电机驱动时,应注意电机启动瞬间的大电流冲击,选择合适的外部栅极电阻以优化驱动性能。

    兼容性和支持


    VBM1151N 可与市场上多数标准封装兼容。供应商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括应用指南、软件工具等,确保用户能够高效地将产品集成到设计中。如果遇到技术难题,可以通过 400-655-8788 服务热线获得帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:长时间大电流工作导致器件过热。
    解决方案:在高温环境中工作时,可以通过优化散热设计或者降低工作电流来减少器件发热。
    - 问题二:如何正确设置栅极电阻?
    解决方案:栅极电阻的选择直接影响开关速度和功耗。一般情况下,较小的栅极电阻可以加快开关速度,但同时也会增加损耗。根据具体应用场景调整到最佳值。
    - 问题三:器件在高温下表现不佳。
    解决方案:确保电路设计中有足够的散热措施,并且合理分配负载,避免器件长时间处于高功耗状态。

    总结和推荐


    VBM1151N N-Channel 150V MOSFET 是一款专为高要求应用设计的高性能器件。其出色的热稳定性、宽泛的工作温度范围以及较低的导通电阻使得它成为电力电子领域的理想选择。无论是在不间断电源还是电机驱动等领域,该器件都能提供可靠的性能表现。对于寻求高效能、高可靠性的工程师而言,VBM1151N 是一个值得考虑的好选项。强烈推荐在相关的电力电子产品设计中采用这款 MOSFET。

VBM1151N参数

参数
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9.8mΩ@10V,11.76mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 150V
Id-连续漏极电流 100A
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220IR
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBM1151N厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBM1151N数据手册

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VBM1151N封装设计

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