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IRFIB41N15DPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,45A,RDS(ON),38mΩ@10V,43mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: 14M-IRFIB41N15DPBF TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFIB41N15DPBF

IRFIB41N15DPBF概述

    IRFIB41N15DPBF-VB MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IRFIB41N15DPBF-VB 是一款由VBsemi制造的N沟道200V(D-S)MOSFET。该产品采用了先进的TrenchFET®技术,具备高可靠性和卓越的性能。它被广泛应用于电源管理和照明系统等领域,是许多复杂电路设计的理想选择。

    技术参数


    以下是从技术手册中提取的关键技术参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 200 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±25 | - | - | V |
    | 连续漏极电流 | ID | - | 45 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | 150 | - | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS | - | 20 | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 20 | - | mJ |
    | 最大功率耗散 | PD | - | 55 | - | W |
    | 结点到环境热阻 | RthJA | - | 40 | - | °C/W |
    | 结点到管壳热阻 | RthJC | - | 0.75 | - | °C/W |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS | - | 1 | - | µA |
    | 开态漏源电阻 | RDS(on) | 0.038 | 0.043 | - | Ω |
    | 峰值输出电容 | COSS | - | 180 | - | pF |
    | 反向传输电容 | CRSS | - | 80 | - | pF |
    这些参数表明IRFIB41N15DPBF-VB具有良好的热稳定性、低导通电阻和高击穿电压,适用于各种高压应用。

    产品特点和优势


    - TrenchFET®技术:提供了更高的电流密度和更低的导通电阻,有助于提高能效和降低损耗。
    - 高温稳定性:能够在高达175℃的结温环境下稳定工作,适合恶劣环境下的应用。
    - 可靠性高:所有产品均经过100% Rg和UIS测试,确保高度可靠性。
    - 超低漏电流:即使在零栅电压条件下,漏电流也极低,提高了电路的稳定性。

    应用案例和使用建议


    IRFIB41N15DPBF-VB常用于以下场合:
    - 电源管理:在高效率开关电源中作为关键部件,实现低损耗和高效率。
    - 照明系统:LED驱动器中,通过调节电流来控制亮度,同时减少功耗。
    使用建议:
    - 在开关频率较高时,需要注意热管理,确保散热片足够大以维持温度在安全范围内。
    - 当应用于高频开关电路时,应考虑其寄生电容的影响,避免不必要的干扰和信号失真。

    兼容性和支持


    - 该MOSFET与市场上大多数电源管理和照明系统的控制器兼容。
    - 厂商提供详尽的技术支持文档和工程师咨询热线(400-655-8788),帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及相应的解决方案:
    1. 温度过高导致性能下降
    - 解决方案:增加散热片面积,或改善散热方式如风冷或水冷。
    2. 导通电阻异常增大
    - 解决方案:检查焊接质量,确保所有连接都紧固且无氧化物。
    3. 输出波形出现异常
    - 解决方案:检查驱动电路是否正确配置,特别是驱动电压和时间延迟部分。

    总结和推荐


    总体而言,IRFIB41N15DPBF-VB是一款性能优异、应用广泛的N沟道MOSFET。它凭借其高可靠性、低导通电阻以及宽泛的工作温度范围,在多种电力转换和控制系统中表现出色。强烈推荐给对电路性能和稳定性有严格要求的设计者。

IRFIB41N15DPBF参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFIB41N15DPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFIB41N15DPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFIB41N15DPBF IRFIB41N15DPBF数据手册

IRFIB41N15DPBF封装设计

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