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NIF5002NT3G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,4A,RDS(ON),76mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.53Vth(V) 封装:SOT-223-3
供应商型号: 14M-NIF5002NT3G SOT-223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NIF5002NT3G

NIF5002NT3G概述

    NIF5002NT3G-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NIF5002NT3G-VB 是一种高性能 N 沟道 60V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于TrenchFET® 系列。这种 MOSFET 采用 SOT-223 封装形式,专为便携式设备中的负载开关应用设计。由于其低导通电阻(RDS(on))和其他优异的电气特性,NIF5002NT3G-VB 在各种高效率电源转换应用中表现出色。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 导通电阻(RDS(on)) | RDS(on) 0.076Ω | 0.085Ω | Ω |
    | 漏源电压 (VDS) | VDS 60V V |
    | 门源阈值电压 (VGS(th)) | VGS(th) | 1.0V V |
    | 零栅压漏极电流 (IDSS) | IDSS 1μA | μA |
    | 源漏二极管连续电流 (IS) | IS | 7.2A A |
    | 最大工作温度 (TJ) | TJ | -55°C 150°C | °C |
    | 热阻 (RthJA) | RthJA | 40°C/W 50°C/W | °C/W|
    | 最大功率耗散 (PD) | PD 3.0W | W |

    3. 产品特点和优势


    NIF5002NT3G-VB 具备以下显著特点和优势:
    - 低导通电阻 (RDS(on)):典型值仅为 0.076Ω,有助于减少功耗和提高系统效率。
    - 高耐压能力:最大漏源电压为 60V,适合高电压应用。
    - 优异的热性能:最大热阻仅为 50°C/W,确保在高温环境下仍能保持稳定工作。
    - 无卤素设计:符合环保要求,适合对环境保护有严格要求的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:NIF5002NT3G-VB 广泛应用于便携式设备中的负载开关,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。这些设备通常需要高效且紧凑的电源管理解决方案。
    使用建议:
    - 散热管理:为了充分发挥其性能,建议在 PCB 设计时提供良好的散热路径,确保 MOSFET 能够有效散热。
    - 电路布局:将 NIF5002NT3G-VB 尽量靠近负载,以减少寄生电感和电容的影响,从而提高系统的整体稳定性。
    - 测试验证:建议进行详细的功能和性能测试,确保器件在实际应用中的可靠性。

    5. 兼容性和支持


    NIF5002NT3G-VB 采用 SOT-223 封装,可直接替换市场上同类产品。制造商提供了详尽的技术文档和支持,包括产品手册、参考设计及技术支持热线,以帮助客户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境中,MOSFET 温度升高过快。
    - 解决办法:增加散热片,确保良好的散热路径;选择具有更低热阻的封装形式。
    - 问题:MOSFET 在脉冲状态下工作时温度过高。
    - 解决办法:根据脉冲宽度和占空比调整散热策略,必要时增加外部散热措施。

    7. 总结和推荐


    总结:NIF5002NT3G-VB 是一款性能卓越、可靠性高的 N 沟道 60V 功率 MOSFET,适用于多种便携式设备中的负载开关应用。其低导通电阻、高耐压能力和出色的热性能使其在众多应用场景中脱颖而出。
    推荐:鉴于其出色的性能和广泛应用前景,我们强烈推荐 NIF5002NT3G-VB 作为高性能电源管理解决方案的选择。

NIF5002NT3G参数

参数
Id-连续漏极电流 4.5A
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 76mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 SOT-223-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NIF5002NT3G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

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