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VBZE12P10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-100V,-10A,RDS(ON),188mΩ@10V,195mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.77Vth(V) 封装:TO-252
供应商型号: 14M-VBZE12P10 TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZE12P10

VBZE12P10概述

    P-Channel 100V MOSFET 技术手册

    产品简介


    本产品为一款P沟道MOSFET(VBZE12P10),属于Halogen-free(无卤素)材料制造,符合IEC 61249-2-21标准定义,同时满足RoHS指令要求。该产品主要用于电源开关及直流/直流转换器等应用场合。TrenchFET®技术的应用使得其在电力传输领域的表现更为优异。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 100V
    - 连续漏极电流 \( ID \): 8.8A(在 \( TJ = 150^\circ C \))
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 25A
    - 单脉冲能量 \( E{AS} \): 16.2mJ
    - 最大功耗 \( PD \): 32.1W(\( TA = 25^\circ C \))
    - 工作结温和存储温度范围: \(-55^\circ C\) 到 \(150^\circ C\)
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 100V
    - 栅阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1V 至 2.5V
    - 零栅电压漏极电流 \( I{DSS} \): -1μA
    - 开态漏极电流 \( I{D(on)} \): 15A(当 \( V{DS} \leq -10V \), \( V{GS} = -10V \))
    - 开态漏源电阻 \( R{DS(on)} \): 0.250Ω(在 \( V{GS} = -10V \)),0.280Ω(在 \( V{GS} = -4.5V \))
    - 动态特性
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1055pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 65pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 41pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 23.2至34.8nC(在 \( V{DS} = -50V \), \( V{GS} = -10V \), \( I{D} = -3.6A \))
    - 开启延迟时间 \( td(on) \): 7至14ns(在 \( V{DD} = -50V \), \( RL = 17.2\Omega \))

    产品特点和优势


    - 低开态电阻:\( R{DS(on)} \) 值为0.250Ω(在 \( V{GS} = -10V \))和0.280Ω(在 \( V{GS} = -4.5V \)),有助于提高效率并减少损耗。
    - 高耐压能力:漏源电压高达100V,适合各种高电压应用。
    - 低噪声:动态特性如输入电容、输出电容及反向转移电容均具有良好的性能。
    - 可靠性:100% 经过Rg和UIS测试,确保了产品的可靠性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    - 电源开关:例如,在DC/DC转换器中,该MOSFET可作为开关元件,提供高效稳定的电压转换。
    - 负载管理:可用于电路中的负载切换,例如在电池管理系统中。
    - 热管理:由于其高耐压能力和低电阻特性,可以有效地处理大电流和高功率的应用。
    使用建议:
    - 在设计电路时,注意避免超过绝对最大额定值的使用条件。
    - 使用适当的散热措施以保证正常工作,特别是在高温环境下。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与常见的PCB布局相兼容,如TO-252封装,适用于多种电子设备。
    - 支持:制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够正确安装和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:长时间运行后发热严重。
    - 解决办法:确保有良好的散热设计,使用散热片或风扇等辅助散热装置。
    - 问题:工作时出现异常噪声。
    - 解决办法:检查接线是否牢固,确保接地良好,且避免过大的寄生电感。

    总结和推荐


    总体而言,VBZE12P10 MOSFET凭借其出色的电气特性和可靠的性能,适用于各种高功率应用场合。尤其适合于需要低电阻和高耐压的应用。我们强烈推荐该产品用于那些需要高性能电力传输和转换的场景。
    以上内容涵盖了P-Channel 100V MOSFET VBZE12P10的主要技术和应用信息,希望能帮助用户更好地理解和使用该产品。

VBZE12P10参数

参数
Id-连续漏极电流 10A
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 188mΩ@10V,195mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.77V
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZE12P10厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZE12P10数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZE12P10 VBZE12P10数据手册

VBZE12P10封装设计

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