处理中...

首页  >  产品百科  >  VBA3222

VBA3222

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,20V,8A,RDS(ON),15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.9Vth(V) 封装:SOP8适用于需要高性能开关的电路和模块,电源逆变器模块、电动车辆控制模块、工业自动化模块、LED 照明模块。
供应商型号: 14M-VBA3222
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBA3222

VBA3222概述


    产品简介


    VBA3222 双通道 N 沟道 20V MOSFET
    VBA3222 是一款双通道 N 沟道 20V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种应用场合,如开关电源、电机驱动和负载开关等。该器件采用SO-8封装,提供两个独立的N沟道MOSFET通道,能够满足高性能应用的需求。

    技术参数


    - 电气特性
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 20V
    - 最大栅源电压 \( V{GS} \): ±12V
    - 连续漏极电流 \( ID \):
    - \( TJ = 25^\circ C \): 7.1A
    - \( TJ = 70^\circ C \): 5.7A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 40A(10µs脉宽)
    - 最大功率耗散 \( PD \):
    - \( TA = 25^\circ C \): 2W
    - \( TA = 70^\circ C \): 1.3W
    - 工作结温和存储温度范围 \( TJ, T{stg} \): -55°C 至 150°C
    - 热阻 \( R{thJA} \): 62.5°C/W
    - 静态参数
    - 栅阈电压 \( V{GS(th)} \): 0.6V 至 1.5V
    - 栅体泄漏电流 \( I{GSS} \): ±100nA
    - 零栅压漏极电流 \( I{DSS} \): 1µA
    - 开态漏极电流 \( I{D(on)} \): 20A
    - 开态漏源电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = 4.5V \), \( ID = 7.1A \): 0.019Ω
    - \( V{GS} = 2.5V \), \( ID = 6.0A \): 0.026Ω
    - 前向跨导 \( g{fs} \): 27S
    - 二极管前向电压 \( V{SD} \): 1.2V
    - 动态参数
    - 总栅电荷 \( Qg \): 9.5nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 1.5nC
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \): 2.5nC
    - 栅电阻 \( Rg \): 1.6Ω (f=1MHz)
    - 开启延迟时间 \( td(on) \): 10ns
    - 上升时间 \( tr \): 15ns
    - 关闭延迟时间 \( td(off) \): 38ns
    - 下降时间 \( tf \): 25ns
    - 源漏二极管反向恢复时间 \( t{rr} \): 26ns

    产品特点和优势


    1. 环保材料:VBA3222 符合RoHS指令 2002/95/EC 和无卤标准 IEC 61249-2-21 的要求,确保产品的环保和安全性。
    2. 高效能:采用先进的TrenchFET®技术,具有低导通电阻(\( R{DS(on)} \))和高电流承载能力,保证在高频开关应用中的卓越性能。
    3. 可靠性高:所有产品经过100%的栅极电阻测试,符合严格的生产标准,保证产品的一致性和可靠性。
    4. 广泛适用性:工作温度范围宽广(-55°C至150°C),适合各种严苛的工作环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:利用其低导通电阻和高电流承载能力,可以提高电源转换效率。
    - 电机驱动:应用于电机控制电路,实现快速切换和高效运行。
    - 负载开关:用于各种负载切换场合,提高系统的稳定性和可靠性。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,注意散热,避免因过热导致的性能下降。
    - 选择合适的驱动电压(\( V{GS} \)),以达到最佳的工作状态。
    - 根据具体应用需求,合理配置外部电路,如限流电阻和退磁电路。

    兼容性和支持


    VBA3222 与其他标准SO-8封装的器件兼容,便于替换现有系统中的同类器件。制造商提供了详尽的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利地将产品集成到现有的设计中。

    常见问题与解决方案


    - 问题:长时间使用后,器件的性能下降。
    - 解决方案:检查散热措施,确保良好的热管理;考虑增加外部散热装置,如散热片或风扇。
    - 问题:驱动电压不足导致无法正常工作。
    - 解决方案:确认驱动电压符合要求(建议在4.5V以上),并检查驱动电路是否正确连接。
    - 问题:过高的瞬态电压损坏器件。
    - 解决方案:增加外部保护电路,如瞬态电压抑制器(TVS),以防止电压过高。

    总结和推荐


    综上所述,VBA3222 是一款高性能、环保且可靠的双通道 N 沟道 20V MOSFET,适用于多种高要求的应用场合。其独特的环保材料、低导通电阻和高可靠性使其在市场上具备显著的竞争优势。因此,强烈推荐使用这款器件,尤其是在需要高效能、低功耗和高可靠性的应用场景中。

VBA3222参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 900mV
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@10V,22mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Id-连续漏极电流 8A
FET类型 1个N沟道
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 12V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBA3222厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBA3222数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBA3222 VBA3222数据手册

VBA3222封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.7145
库存: 50
起订量: 5 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 3.57
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504