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VBZE90N03

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252 该产品是单N沟道MOSFET,用于需要高功率和高频率控制的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。
供应商型号: VBZE90N03 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZE90N03

VBZE90N03概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一种高性能的电源管理器件,采用 TrenchFET® 技术制造。这款MOSFET 主要应用于 OR-ing(电源切换)、服务器以及直流-直流转换等领域。其出色的性能使其在多种高要求的应用中表现优异。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 30V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - 在 TC = 25°C 时为 100A
    - 在 TC = 70°C 时为 80A
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS = 10V 时为 0.002Ω
    - 在 VGS = 4.5V 时为 0Ω
    - 输入电容 (Ciss): 5201pF
    - 输出电容 (Coss): 1525pF
    - 反向转移电容 (Crss): 770pF
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - 在 VGS = 10V 时为 151-227nC
    - 在 VGS = 4.5V 时为 71.5-103nC
    - 最大功耗 (PD):
    - 在 TC = 25°C 时为 235W
    - 在 TC = 70°C 时为 165W
    - 最大结温范围: -55°C 至 175°C
    - 热阻:
    - 最大结到环境 (RthJA): 32°C/W
    - 最大结到外壳 (RthJC): 0.5°C/W

    产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术: 这一技术显著提高了开关速度和效率。
    - RoHS 合规性: 符合欧盟 RoHS 指令,保证无铅和环保。
    - 可靠性测试: 100% 的 Rg 和 UIS 测试确保其在高要求环境下的稳定性。
    - 低导通电阻: 低至 0.002Ω 的导通电阻使其适用于需要高效电流处理的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - OR-ing 电路: 这款 MOSFET 适用于多个电源之间的切换控制,确保系统稳定运行。
    - 服务器电源管理: 在数据中心应用中,该器件能够有效地管理多个电源模块,提高系统的可靠性和效率。
    使用建议:
    - 散热设计: 由于功耗较大,建议在外壳上增加散热片以保持良好的散热效果。
    - 驱动电路: 为了获得最佳性能,建议使用适当的栅极驱动器,以确保快速开关,减少开关损耗。

    兼容性和支持


    - 封装类型: TO-252 封装,易于焊接和安装。
    - 支持和服务: 厂商提供全面的技术支持,包括应用指导和售后维护。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 散热不足导致过热 | 使用散热片或者加装风扇进行强制冷却。 |
    | 开关损耗高 | 优化驱动电路,降低驱动电阻,提高开关速度。 |
    | 漏电流过高 | 检查连接线路,确保没有短路或接触不良。 |

    总结和推荐


    这款 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 以其卓越的性能和可靠性,在多种高要求应用中表现出色。它特别适合在需要高效、稳定电流处理的场景中使用。如果你正在寻找一款可靠且高效的 MOSFET,此产品是一个值得考虑的选择。强烈推荐在高功率、高可靠性的应用中使用该器件。

VBZE90N03参数

参数
Id-连续漏极电流 100A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,3mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZE90N03厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZE90N03数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZE90N03 VBZE90N03数据手册

VBZE90N03封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
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