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FQP4N20

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道 200V 5A 0.85Ω@10V TO-220AB
供应商型号: 14M-FQP4N20 TO-220AB
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQP4N20

FQP4N20概述

    # FQP4N20-VB N-Channel 200V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FQP4N20-VB 是一款高性能的 N-Channel 200V 功率 MOSFET,采用先进的 TrenchFET® 工艺制造。这种器件具备高耐温特性(最高可达175°C),适用于工业领域的各种应用。主要功能包括出色的热性能和低导通电阻,能够有效提升系统的效率和可靠性。
    主要功能
    - TrenchFET® 技术实现高性能
    - 高达175°C的耐温能力
    - 新型低热阻封装
    - 符合RoHS标准
    应用领域
    - 工业控制
    - 电源管理
    - 电机驱动

    技术参数


    以下列出了FQP4N20-VB的主要技术参数,详细信息如下:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | 200 | - | - | V |
    | 门极-源极电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 持续漏极电流(TJ = 175°C) | ID | 25 | 5 | 23 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 70 | - | - | A |
    | 雪崩击穿电流 | IAR | 35 | - | - | A |
    | 重复雪崩能量 | EAR | 61 | - | - | mJ |
    | 最大功率耗散(TC = 25°C) | PD | 300 | - | - | W |
    | 最大存储温度范围 | Tstg | -55 | - | 175 | °C |
    | 热阻参数(PCB安装) | RthJA | 40 | - | - | °C/W |

    产品特点和优势


    FQP4N20-VB 的显著特点包括:
    - 高耐温能力:能够在极端环境下稳定工作,提高了系统可靠性和使用寿命。
    - 低热阻封装:有效的散热设计使得在高功率应用中表现更为出色。
    - TrenchFET® 技术:相比传统工艺,具有更低的导通电阻和更高的开关速度。
    - 符合RoHS标准:环保且安全,适合各类工业应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 在开关电源转换器中用于高效能电能转换
    - 作为电机驱动器的开关组件,提供精确的控制和快速响应
    - 用于焊接和切割设备的功率管理
    使用建议
    - 确保门极驱动电路的设计能够提供足够的门极电压以达到最佳开关性能。
    - 在高温环境中使用时,应确保良好的散热措施,以避免因过热而导致的性能下降。
    - 定期检查和维护以确保长期可靠运行。

    兼容性和支持


    FQP4N20-VB 可与其他标准的 TO-220AB 封装的器件兼容,可方便地替换旧型号的产品,减少系统设计变更。同时,制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助用户解决可能遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    问题一:导通电阻异常增大
    解决方案:检查工作环境温度是否超出额定范围,确认安装是否正确,必要时更换新的器件。
    问题二:发热过高
    解决方案:检查散热设计是否合理,如风扇、散热片等是否正常工作,调整驱动信号以降低功耗。
    问题三:门极电压不稳定
    解决方案:检查门极驱动电路是否存在问题,使用合适的门极电阻以确保稳定的门极电压。

    总结和推荐


    总体而言,FQP4N20-VB 是一款非常出色的 N-Channel 200V MOSFET,特别适合于需要高效能和高可靠性的工业应用。其出色的耐温能力、低热阻封装以及TrenchFET®技术使得它在多种复杂环境中表现卓越。推荐在对温度敏感的应用场景中选用此产品,以获得最佳的性能和可靠性。
    注:本文所涉及的数据和技术细节均来自 FQP4N20-VB 数据手册,具体使用时请参考官方技术文档。

FQP4N20参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 200V
Id-连续漏极电流 5A
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 850mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FQP4N20厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQP4N20数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQP4N20 FQP4N20数据手册

FQP4N20封装设计

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