处理中...

首页  >  产品百科  >  NDT454P

NDT454P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P沟道 -35V -6.2A 50mΩ@-10V SOT-223
供应商型号: 14M-NDT454P SOT-223
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NDT454P

NDT454P概述

    # NDT454P-VB P-Channel 35V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    NDT454P-VB 是一款高性能的P沟道功率MOSFET,专为高效率电源管理设计。其核心采用先进的TrenchFET®技术,具有极低的导通电阻(RDS(on))和高可靠性。产品广泛应用于负载开关、适配器开关等领域,例如笔记本电脑。NDT454P-VB 支持无卤素生产,并符合RoHS指令,是一款环保且高性能的电子元器件。

    技术参数


    以下是NDT454P-VB 的关键技术和电气性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS -35 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.040 0.048 | Ω |
    | 持续漏极电流(TJ=150°C) | ID | -6.2 | -4.5 | -3.4 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS 5 | mJ |
    | 最大功率耗散 | PD | 4.2 2.7 | W |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55°C 150°C
    更多细节如栅电荷(Qg)、输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)等可参考相关图表。

    产品特点和优势


    独特功能:
    - 无卤素设计:符合IEC 61249-2-21标准,绿色环保。
    - 高可靠性测试:100% RG和UIS测试确保产品质量。
    - 低导通电阻:典型值为0.040Ω(@VGS=-10V),适用于高效能应用。
    - 高抗雪崩能力:最大雪崩电流可达-10A,适用于苛刻的工业环境。
    市场竞争力:
    - 低功耗设计适合便携式设备,如笔记本电脑。
    - 高可靠性满足严苛的工业和消费类电子产品需求。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    1. 负载开关:用于笔记本电脑电源管理。
    2. 适配器开关:实现高效的电源转换。
    使用建议:
    - 在选择工作条件时,需注意温度限制(-55°C至150°C)以确保稳定运行。
    - 考虑到散热需求,建议在高电流情况下增加外部散热措施。

    兼容性和支持


    NDT454P-VB 采用SOT-223封装,与市面上主流PCB设计高度兼容。厂商提供全方位技术支持,包括样品申请、电路设计指导和技术培训,服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 确保VGS电压达到额定值。 |
    | 工作温度异常 | 检查散热设计是否合理。 |
    | 雪崩保护失效 | 确认雪崩能量不超过产品规格。 |

    总结和推荐


    NDT454P-VB P-Channel 35V MOSFET凭借其优异的性能和可靠性,成为电源管理和负载控制领域的理想选择。它具备低导通电阻、高可靠性和无卤素设计等特点,特别适合对效率和环保要求较高的应用场景。我们强烈推荐此产品给需要高性能MOSFET的设计工程师。
    如需进一步技术支持,请联系服务热线:400-655-8788。
    最终推荐:高度推荐

NDT454P参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 35V
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@10V
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 6.2A
通用封装 SOT-223
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NDT454P厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NDT454P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NDT454P NDT454P数据手册

NDT454P封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.8351
库存: 68
起订量: 5 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 4.17
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336